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BSS119E6327

产品描述SIPMOS Small-Signal-Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小87KB,共8页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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BSS119E6327概述

SIPMOS Small-Signal-Transistor

BSS119E6327规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
零件包装代码SOT-23
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)0.17 A
最大漏极电流 (ID)0.17 A
最大漏源导通电阻10 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)6 pF
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)0.36 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层MATTE TIN
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管元件材料SILICON

BSS119E6327相似产品对比

BSS119E6327 BSS119L6433HTMA1 BSS119 E6433 BSS119 E7978
描述 SIPMOS Small-Signal-Transistor MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
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