BCP51: 产品描述1 A, 45 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小201KB，共4页; 制造商WINNERJOIN; 官网地址http://www.wej.cn/

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BCP51概述

1 A, 45 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR

1 A, 45 V, PNP, 硅, 功率晶体管

BCP51规格参数

参数名称	属性值
端子数量	4
晶体管极性	PNP
最大集电极电流	1 A
最大集电极发射极电压	45 V
无铅	Yes
欧盟RoHS规范	Yes
中国RoHS规范	Yes
状态	ACTIVE
包装形状	矩形的
包装尺寸	SMALL OUTLINE
表面贴装	Yes
端子形式	GULL WING
端子涂层	锡
端子位置	双
包装材料	塑料/环氧树脂
结构	单一的
壳体连接	COLLECTOR
元件数量	1
晶体管应用	放大器
晶体管元件材料	硅
晶体管类型	通用电源
最小直流放大倍数	25
额定交叉频率	115 MHz

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RoHS

BCP51-53

SOT-223

BCP51,52,53

FEATURES

TRANSISTOR (PNP)

1. BASE

2. COLLECTOR

3. EMITTER

For AF driver and output stages

High collector current

Low collector-emitter saturation voltage

Complementary types: BCP54...BCP56 (NPN)

MAXIMUM RATINGS (T

=25℃ unless otherwise noted)

Symbol

CBO

CEO

EBO

θJA

stg

Parameter

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current -Continuous

Collector Power Dissipation

Thermal Resistance Junction to Ambient

Storage Temperature Range

BCP51

-45

BCP52

-60

-5

-1

1.5

-65to+150

BCP53

-100

-80

Units

℃/W

℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Collector-base breakdown voltage

BCP51

BCP52

BCP53

Collector-emitter breakdown voltage

BCP51

BCP52

BCP53

Base-emitter breakdown voltage

Collector cut-off current

(BR)EBO

CBO

FE(1)

DC current gain

FE(2)

FE(3)

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter voltage

Transition frequency

CE(sat)

= -10μA,I

= -30 V, I

=-2V, I

=-5mA

= -2V, I

=-150m A

= -2V, I

=-500m A

=-500mA,I

=-50mA

=-2V, I

=-500m A

=-10V,I

=-50mA,f=100MHz

100

-0.5

-1

MHz

250

(BR)CEO

= -10mA,I

(BR)CBO

=- 0.1mA,I

Symbol

Test

conditions

MIN

-45

-60

-100

-45

-60

-80

-5

-100

MAX

UNIT

CLASSIFICATION OF

Rank

Range

FE(2)

BCP51-10, BCP52-10, BCP53-10

63-160

BCP51-16, BCP52-16, BCP53-16

100-250

WEJ ELECTRONIC CO.,LTD

Http:// www.wej.cn

E-mail:wej@yongerjia.com

BCP51相似产品对比

	BCP51	BCP52	BCP53
描述	1 A, 45 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR	1 A, 45 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR	1000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
端子数量	4	4	4
晶体管极性	PNP	PNP	PNP
最大集电极电流	1 A	1 A	1 A
最大集电极发射极电压	45 V	45 V	80 V
状态	ACTIVE	ACTIVE	TRANSFERRED
包装形状	矩形的	矩形的	RECTANGULAR
包装尺寸	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
表面贴装	Yes	Yes	Yes
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	双	双	DUAL
包装材料	塑料/环氧树脂	塑料/环氧树脂	PLASTIC/EPOXY
结构	单一的	单一的	SINGLE
壳体连接	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR
元件数量	1	1	1
晶体管应用	放大器	放大器	SWITCHING
晶体管元件材料	硅	硅	SILICON
晶体管类型	通用电源	通用电源	GENERAL PURPOSE SMALL SIGNAL
最小直流放大倍数	25	25	40
额定交叉频率	115 MHz	115 MHz	125 MHz
无铅	Yes	Yes	-
欧盟RoHS规范	Yes	Yes	-
中国RoHS规范	Yes	Yes	-
端子涂层	锡	锡	-

推荐资源

器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

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