电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

UF604G

产品描述6 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小584KB,共3页
制造商Yenyo Technology Co., Ltd.
官网地址http://www.yenyo.com.tw/
下载文档 选型对比 全文预览

UF604G概述

6 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE

文档预览

下载PDF文档
YENYO
Glass Passivated Ultra Fast Recovery Rectifier
Voltage Range 50 to 1000 V
Current 6.0 Ampere
R-6
.052(1.3)
1.0(25.4)
MIN.
.048(1.2)
DIA.
UF601G THRU UF607G
Features
Fast switching for high efficiency
Low forward voltage drop
High current capability
Low reverse leakge current
High surge current capability
Mechanical Data
Case: Molded plastic R-6
Epoxy: UL 94V-0 rate flame retardant
Terminals: Solderable per MIL-STD-202
method 208 guranteed
Polarity:Color band denotes cathode
Mounting position: Any
Weight: 2.1 gram
.360(9.1)
.340(8.6)
.360(9.1)
1.0(25.4)
MIN.
.340(8.6)
DIA.
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Rating at 25
o
C
ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
PARAMTER
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified
Current
T
L
=55
C
o
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
IF
(AV)
UF
601G
50
35
50
UF
602G
100
70
100
UF
603G
200
140
200
UF
604G
400
280
400
6.0
UF
605G
600
420
600
UF
606G
800
560
800
UF
UNIT
607G
1000
700
1000
V
V
V
A
Peak Forward Surge Current, 8.3ms single
Half sine-wave superimposed on rated load
(JEDEC method)
Maximum Instantaneous Forward Voltage
@ 6.0 A
Maximum DC Reverse Current @T
J
=25
C
At Rated DC Blocking Voltage @T
J
=125
C
Maximum Reverse Recovery Time (Note 1)
Typical junction Capacitance (Note 2)
Maximum Thermal Resistance (Note 3)
Operating Junction and Storage
Temperature Range
o
o
I
FSM
150
A
V
F
I
R
Trr
C
J
R
JA
T
J
, T
STG
1.0
1.3
5.0
200
50
100
10
-55 to +150
1.7
V
uA
uA
nS
pF
o
75
CW
o
C
NOTES : (1) Reverse recovery test conditions I
F
= 0.5A, I
R
= 1.0A, Irr = 0.25A.
(2) Thermal Resistance junction to lead.
(3) Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0 Volts DC.
1/2
R1, MAY-12

UF604G相似产品对比

UF604G UF601G UF602G UF606G UF603G UF605G
描述 6 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 6 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 6 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 6 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 6 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 6 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
几个单片机之间如何实现通信
用一个单片机作为主机,其余作为从机,主从之间可以互相通信,另请问,51单片机的串口可以做全双工通信吗...
yuyangjing 嵌入式系统
DSP系统电源的设计
DSP系统一般有两种电压:核供电 (低, 多为 1.2, 1.6, 1.8V) 和 I/O (高, 多为5 3.3, 2.5V) ,两者供电是分开的。 电源加电顺序: 核电压要比 I/O 电压先加载, 至少要同时加载。如果IO电压 ......
程序天使 DSP 与 ARM 处理器
raw-os 2.002 发布
raw-os 2.002 发布 下载的地址为: http://www.raw-os.org/download.html 更新方法为直接覆盖原有的工程代码,一行代码也不需要修改。 更新的内容主要为: 1 内核模块的一些细微逻辑的调整 ......
jorya_txj 嵌入式系统
智能手机的硬件体系结构
本帖最后由 jameswangsynnex 于 2015-3-3 19:59 编辑 随着通信产业的不断发展,移动终端已经由原来单一的通话功能向话音、数据、图像、音乐和多媒体方向综合演变。   而对于移动终端,基本 ......
小丸子 消费电子
2013年TI ARM Day技术研讨会(北京站现场图文直播)参与回复送板子哦!
127889 2013 TIARMDay 于2013年9月5日上午9点在北京知春路皇冠假日酒店准时召开,本次会议针对 ARM 产品系列进行了全方位的介绍,并有动手实验课程带您零距离体验 TI 开发工具。系统级解决方 ......
eric_wang TI技术论坛
dll编译问题
请问各位大侠,我有一个在PC机上编译调试好的dll程序,现在想在pda上用该dll,有没有办法直接把程序编译成windows mobile 5.0选用的dll呢?...
jincheng702 嵌入式系统

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1820  330  1945  2902  2440  41  9  1  23  54 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved