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TLE2062AMD: 产品描述JFET-Input Low Power High Drive Dual Operational Amplifier 8-SOIC -55 to 125; 产品类别模拟混合信号IC 放大器电路; 文件大小2MB，共84页; 制造商Texas Instruments(德州仪器); 官网地址http://www.ti.com.cn/; 标准

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JFET-Input Low Power High Drive Dual Operational Amplifier 8-SOIC -55 to 125

参数名称	属性值
Brand Name	Texas Instruments
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码	SOIC
包装说明	SOP, SOP8,.25
针数	8
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
Factory Lead Time	1 week
放大器类型	OPERATIONAL AMPLIFIER
架构	VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB)	0.00006 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB)	0.000003 µA
最小共模抑制比	72 dB
标称共模抑制比	90 dB
频率补偿	YES
最大输入失调电流 (IIO)	0.015 µA
最大输入失调电压	2000 µV
JESD-30 代码	R-PDSO-G8
JESD-609代码	e4
长度	4.9 mm
低-偏置	YES
低-失调	NO
微功率	YES
湿度敏感等级	1
负供电电压上限	-19 V
标称负供电电压 (Vsup)	-5 V
功能数量	2
端子数量	8
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOP
封装等效代码	SOP8,.25
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
包装方法	TUBE
峰值回流温度（摄氏度）	260
功率	NO
电源	+-3.5/+-18/7/36 V
可编程功率	NO
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.75 mm
最小摆率	1.8 V/us
标称压摆率	3.4 V/us
最大压摆率	0.69 mA
供电电压上限	19 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	BIFET
温度等级	MILITARY
端子面层	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式	GULL WING
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽	2000 kHz
最小电压增益	7000
宽带	NO
宽度	3.9 mm

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器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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