Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
Objectid | 1404818475 |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
其他特性 | LOW NOISE |
最大集电极电流 (IC) | 0.1 A |
基于收集器的最大容量 | 6 pF |
集电极-发射极最大电压 | 30 V |
配置 | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 110 |
JEDEC-95代码 | TO-236 |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | PNP |
最大功率耗散 (Abs) | 0.3 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 150 MHz |
VCEsat-Max | 0.65 V |
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