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SN74ABT7820-15PN

产品描述FIFO 512 x 18 x 2 bidir ASynch FIFO Memory
产品类别存储    存储   
文件大小280KB,共19页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
标准
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SN74ABT7820-15PN概述

FIFO 512 x 18 x 2 bidir ASynch FIFO Memory

SN74ABT7820-15PN规格参数

参数名称属性值
Brand NameTexas Instruments
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码QFP
包装说明LFQFP, QFP80,.55SQ,20
针数80
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time1 week
最长访问时间12 ns
其他特性BYPASS XCVR
最大时钟频率 (fCLK)67 MHz
周期时间15 ns
JESD-30 代码S-PQFP-G80
JESD-609代码e4
长度12 mm
内存密度9216 bi
内存集成电路类型BI-DIRECTIONAL FIFO
内存宽度18
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量80
字数512 words
字数代码512
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织512X18
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LFQFP
封装等效代码QFP80,.55SQ,20
封装形状SQUARE
封装形式FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.6 mm
最大压摆率0.095 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术BICMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度12 mm

SN74ABT7820-15PN相似产品对比

SN74ABT7820-15PN SN74ABT7820-20PN SN74ABT7820-25PH GMK212LD105KG-T GMK212SD183KG-T
描述 FIFO 512 x 18 x 2 bidir ASynch FIFO Memory FIFO 512 x 18 x 2 bidir ASynch FIFO Memory FIFO 512 x 18 x 2 bidir ASynch FIFO Memory Low Distortion High Value Multilayer Ceramic Capacitors(CF_LD) Super Low Distortion Multilayer Ceramic Capacitors (CFCAP(TM))
Brand Name Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments - -
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 - -
是否Rohs认证 符合 符合 符合 - -
厂商名称 Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) - -
零件包装代码 QFP QFP QFP - -
包装说明 LFQFP, QFP80,.55SQ,20 LFQFP, QFP80,.55SQ,20 QFP, QFP80,.7X.9,32 - -
针数 80 80 80 - -
Reach Compliance Code compli compli compli - -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 - -
Factory Lead Time 1 week 1 week 1 week - -
最长访问时间 12 ns 13.5 ns 15 ns - -
其他特性 BYPASS XCVR BYPASS XCVR BYPASS XCVR - -
最大时钟频率 (fCLK) 67 MHz 50 MHz 40 MHz - -
周期时间 15 ns 20 ns 25 ns - -
JESD-30 代码 S-PQFP-G80 S-PQFP-G80 S-PQFP-G80 - -
JESD-609代码 e4 e4 e4 - -
长度 12 mm 12 mm 14 mm - -
内存密度 9216 bi 9216 bi 9216 bi - -
内存集成电路类型 BI-DIRECTIONAL FIFO BI-DIRECTIONAL FIFO BI-DIRECTIONAL FIFO - -
内存宽度 18 18 18 - -
湿度敏感等级 3 3 3 - -
功能数量 1 1 1 - -
端子数量 80 80 80 - -
字数 512 words 512 words 512 words - -
字数代码 512 512 512 - -
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS - -
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C - -
组织 512X18 512X18 512X18 - -
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE - -
可输出 YES YES YES - -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - -
封装代码 LFQFP LFQFP QFP - -
封装等效代码 QFP80,.55SQ,20 QFP80,.55SQ,20 QFP80,.7X.9,32 - -
封装形状 SQUARE SQUARE SQUARE - -
封装形式 FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH FLATPACK - -
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL - -
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 260 - -
电源 5 V 5 V 5 V - -
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified - -
座面最大高度 1.6 mm 1.6 mm 3.1 mm - -
最大压摆率 0.095 mA 0.095 mA 0.095 mA - -
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V - -
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V - -
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V - -
表面贴装 YES YES YES - -
技术 BICMOS BICMOS BICMOS - -
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL - -
端子面层 Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) - -
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING - -
端子节距 0.5 mm 0.5 mm 0.8 mm - -
端子位置 QUAD QUAD QUAD - -
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - -
宽度 12 mm 12 mm 14 mm - -

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