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GBU10005

产品描述3.6 A, 50 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小914KB,共3页
制造商DIOTECH
官网地址http://www.kdiode.com/
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GBU10005概述

3.6 A, 50 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

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GBU10005 THRU GBU1010
Reverse Voltage - 50 to 1000 Volts
GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER
Forward Current - 10.0 Ampere
FEATURES
Glass passivated chip junction
Reliable low cost construction utilizing molded
plastic technique
Ideal for printed circuit board
Low reverse leakage current
Low forward voltage drop
High surge current capabiliy
GBU
MECHANICAL DATA
Case:Molded plastic, GBU
Terminals
:
Terminals: Leads solderable per MIL-STD-202
method 208 guaranteed
Epoxy: UL 94V-0 rate flame retardant
Mounting Position: Any
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase half-wave 60Hz,resistive or inductive load,for capacitive load current derate by 20%.
Parameter
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified Current with
Heatsink at T
C
= 100
O
C
Peak Forward Surge Current, 8.3 ms Single Half-Sine
-Wave superimposed on rated load (JEDEC Method)
Maximum Forward Voltage at 5.0 A DC and 25
O
C
Maximum Reverse Current at T
A
= 25
O
C
at Rated DC Blocking Voltage T
A
= 125
O
C
Typical Junction Capacitance
Typical Thermal Resistance
2)
Operating and Storage Temperature Range
1)
2)
1)
Symbols
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
I
FSM
V
F
I
R
C
J
R
θJC
T
J
,T
S
GBU
10005
50
35
50
GBU
1001
100
70
100
GBU
1002
200
140
200
GBU
1004
400
280
400
10.0
250
1.0
5.0
500
70
2.2
GBU
1006
600
420
600
GBU
1008
800
560
800
GBU
Units
1010
1000
700
1000
V
V
V
A
A
V
µA
pF
O
C/W
O
-55 to +150
C
Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4 VDC.
Thermal resistance from junction to case with device mounted on 300 mm X 300 mm X 1.6 mm Cu plate
heatsink.

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