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2SC3973_2014

产品描述Silicon NPN Power Transistors
文件大小63KB,共4页
制造商Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.
官网地址http://www.jmnic.com/
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2SC3973_2014概述

Silicon NPN Power Transistors

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JMnic
Product Specification
Silicon NPN Power Transistors
DESCRIPTION
・With
TO-220Fa package
・High
breakdown voltage
・High
speed switching
・Wide
area of safe operation
APPLICATIONS
・For
high breakdown voltate ,high-speed
switching applications
PINNING
PIN
1
2
3
DESCRIPTION
Base
Collector
Emitter
2SC3973 2SC3973A
Fig.1 simplified outline (TO-220Fa) and symbol
Absolute maximum ratings (Ta=25
℃)
SYMBOL
PARAMETER
2SC3973
V
CBO
Collector-base voltage
2SC3973A
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current (DC)
Collector current-Peak
Base current
T
C
=25℃
P
C
Collector power dissipation
T
a
=25℃
T
j
T
stg
Junction temperature
Storage temperature
2
150
-55~150
Open base
Open collector
Open emitter
900
500
8
7
15
4
45
W
V
V
A
A
A
CONDITIONS
VALUE
800
V
UNIT

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描述
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