GM76FR216LLT12I,GM76FR216LLT12I pdf中文资料,GM76FR216LLT12I引脚图,GM76FR216LLT12I电路-Datasheet-电子工程世界

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GM76FR216LLT12I: 产品描述Standard SRAM, 128KX16, 120ns, CMOS, PDSO44,; 产品类别存储存储; 文件大小454KB，共12页; 制造商LG Semicon Co Ltd

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GM76FR216LLT12I概述

Standard SRAM, 128KX16, 120ns, CMOS, PDSO44,

GM76FR216LLT12I规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
Objectid	101252306
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	120 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-G44
JESD-609代码	e0
内存密度	2097152 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	16
端子数量	44
字数	131072 words
字数代码	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	128KX16
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP
封装等效代码	TSOP44,.46,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL
电源	2 V
认证状态	Not Qualified
最大待机电流	0.00001 A
最小待机电流	1.5 V
最大压摆率	0.025 mA
标称供电电压 (Vsup)	2 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子节距	0.8 mm
端子位置	DUAL

GM76FR216LLT12I相似产品对比

	GM76FR216LLT12I	GM76FR216LLT10	GM76FR216LLT10I	GM76FR216SLT10I	GM76FR216SLT12I	GM76FU216LLT55I	GM76FU216SLT70I
描述	Standard SRAM, 128KX16, 120ns, CMOS, PDSO44,	Standard SRAM, 128KX16, 100ns, CMOS, PDSO44,	Standard SRAM, 128KX16, 100ns, CMOS, PDSO44,	Standard SRAM, 128KX16, 100ns, CMOS, PDSO44,	SRAM,	Standard SRAM, 128KX16, 55ns, CMOS, PDSO44,	Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PDSO44,
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
Objectid	101252306	101252199	101252305	101252307	1350431317	101252323	101252326
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	EAR99	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
最长访问时间	120 ns	100 ns	100 ns	100 ns	-	55 ns	70 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	-	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-G44	R-PDSO-G44	R-PDSO-G44	R-PDSO-G44	-	R-PDSO-G44	R-PDSO-G44
内存密度	2097152 bit	2097152 bit	2097152 bit	2097152 bit	-	2097152 bit	2097152 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	-	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	16	16	16	16	-	16	16
端子数量	44	44	44	44	-	44	44
字数	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	-	131072 words	131072 words
字数代码	128000	128000	128000	128000	-	128000	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	-	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	70 °C	85 °C	85 °C	-	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-	-40 °C	-40 °C	-	-40 °C	-40 °C
组织	128KX16	128KX16	128KX16	128KX16	-	128KX16	128KX16
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	-	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP	TSOP	TSOP	TSOP	-	TSOP	TSOP
封装等效代码	TSOP44,.46,32	TSOP44,.46,32	TSOP44,.46,32	TSOP44,.46,32	-	TSOP44,.46,32	TSOP44,.46,32
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	-	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	-	PARALLEL	PARALLEL
电源	2 V	2 V	2 V	2 V	-	3 V	3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified
最大待机电流	0.00001 A	0.00001 A	0.00001 A	0.000002 A	-	0.00001 A	0.000002 A
最小待机电流	1.5 V	1.5 V	1.5 V	1.5 V	-	1.5 V	1.5 V
最大压摆率	0.025 mA	0.025 mA	0.025 mA	0.025 mA	-	0.05 mA	0.05 mA
标称供电电压 (Vsup)	2 V	2 V	2 V	2 V	-	3 V	3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	-	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	-	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	-	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	-	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	-	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	-	DUAL	DUAL

GM76FR216LLT12I

GM76FR216LLT12I概述

GM76FR216LLT12I规格参数

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