NE3511S02-T1D,NE3511S02-T1D pdf中文资料,NE3511S02-T1D引脚图,NE3511S02-T1D电路-Datasheet-电子工程世界

NE3511S02-T1D: 产品描述X TO Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小212KB，共12页; 制造商Renesas(瑞萨电子); 官网地址https://www.renesas.com/

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NE3511S02-T1D概述

X TO Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET

	NE3511S02-T1D	NE3511S02	NE3511S02-T1C
描述	X TO Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET	X TO Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET	X TO Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
是否无铅	含铅	-	含铅
是否Rohs认证	不符合	-	不符合
厂商名称	Renesas(瑞萨电子)	-	Renesas(瑞萨电子)
包装说明	MICROWAVE, R-PXMW-F4	-	MICROWAVE, R-PXMW-F4
针数	4	-	4
Reach Compliance Code	compli	-	compli
其他特性	LOW NOISE	-	LOW NOISE
配置	SINGLE	-	SINGLE
最小漏源击穿电压	4 V	-	4 V
FET 技术	HETERO-JUNCTION	-	HETERO-JUNCTION
最高频带	KU BAND	-	KU BAND
JESD-30 代码	R-PXMW-F4	-	R-PXMW-F4
JESD-609代码	e0	-	e0
元件数量	1	-	1
端子数量	4	-	4
工作模式	DEPLETION MODE	-	DEPLETION MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR
封装形式	MICROWAVE	-	MICROWAVE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL	-	N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp)	12.5 dB	-	12.5 dB
认证状态	Not Qualified	-	Not Qualified
表面贴装	YES	-	YES
端子面层	TIN LEAD	-	TIN LEAD
端子形式	FLAT	-	FLAT
端子位置	UNSPECIFIED	-	UNSPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED
晶体管应用	AMPLIFIER	-	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON	-	SILICON

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