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IMS1400W-70

产品描述Standard SRAM, 16KX1, 65ns, MOS, CQCC20,
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文件大小455KB,共8页
制造商Inmos Corporation
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IMS1400W-70概述

Standard SRAM, 16KX1, 65ns, MOS, CQCC20,

IMS1400W-70规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Objectid101186475
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间65 ns
I/O 类型SEPARATE
JESD-30 代码R-XQCC-N20
JESD-609代码e0
内存密度16384 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度1
端子数量20
字数16384 words
字数代码16000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织16KX1
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC
封装代码QCCN
封装等效代码LCC20,.3X.43
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
并行/串行PARALLEL
电源5 V
认证状态Not Qualified
最大压摆率0.12 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术MOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD

IMS1400W-70相似产品对比

IMS1400W-70 IMS1400P-35
描述 Standard SRAM, 16KX1, 65ns, MOS, CQCC20, Standard SRAM, 16KX1, 35ns, MOS, PDIP20,
是否Rohs认证 不符合 不符合
Reach Compliance Code unknown unknown
最长访问时间 65 ns 35 ns
I/O 类型 SEPARATE SEPARATE
JESD-30 代码 R-XQCC-N20 R-PDIP-T20
JESD-609代码 e0 e0
内存密度 16384 bit 16384 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 1 1
端子数量 20 20
字数 16384 words 16384 words
字数代码 16000 16000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C
组织 16KX1 16KX1
输出特性 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 CERAMIC PLASTIC/EPOXY
封装代码 QCCN DIP
封装等效代码 LCC20,.3X.43 DIP20,.3
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 CHIP CARRIER IN-LINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL
电源 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大压摆率 0.12 mA 0.12 mA
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V
表面贴装 YES NO
技术 MOS MOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 NO LEAD THROUGH-HOLE
端子节距 1.27 mm 2.54 mm
端子位置 QUAD DUAL

 
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