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MMBTA42_15

产品描述EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
文件大小558KB,共3页
制造商KEC
官网地址http://www.keccorp.com/
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MMBTA42_15概述

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR

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SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
HIGH VOLTAGE APPLICATION.
TELEPHONE APPLICATION.
FEATURES
・Complementary
to MMBTA92/93.
MMBTA42/43
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
L
E
B
L
2
A
G
H
3
MAXIMUM RATING (Ta=25℃)
CHARACTERISTIC
Collector-Base
Voltage
Collector-Emitter
Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Emitter Current
Collector Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
MMBTA42
V
CBO
MMBTA43
MMBTA42
V
CEO
MMBTA43
V
EBO
I
C
I
E
P
C
*
T
j
T
stg
200
5.0
500
-500
350
150
-55½150
V
mA
mA
mW
200
300
V
SYMBOL
RATING
300
V
C
N
1
UNIT
Q
P
P
DIM
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
N
P
Q
MILLIMETERS
_
2.93 + 0.20
1.30+0.20/-0.15
1.30 MAX
0.40+0.15/-0.05
2.40+0.30/-0.20
1.90
0.95
0.13+0.10/-0.05
0.00 ~ 0.10
0.55
0.20 MIN
1.00+0.20/-0.10
7
0.1 MAX
K
M
1. EMITTER
2. BASE
3. COLLECTOR
SOT-23
* : Package Mounted On 99.5% Alumina 10×8×0.6mm.
Marking
Type Name
J
D
Lot No.
Lot No.
AAX
MMBTA42
Type Name
ABX
MMBTA43
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃)
CHARACTERISTIC
Collector-Base
Breakdown Voltage
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
MMBTA42
V
(BR)CBO
MMBTA43
MMBTA42
V
(BE)CEO
MMBTA43
I
C
=1.0mA, V
CE
=10V
DC Current Gain
* h
FE
I
C
=10mA, V
CE
=10V
I
C
=30mA, V
CE
=10V
Collector-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter Saturation Voltage
Transition Frequency
Collector Output
Capacitance
MMBTA42
C
ob
MMBTA43
V
CB
=20V, I
E
=0, f=1MHz
-
-
4.0
V
CE(sat)
V
BE(sat)
f
T
I
C
=20mA, I
B
=2.0mA
I
C
=20mA, I
B
=2.0mA
V
CE
=20V, I
C
=10mA, f=100MHz
I
C
=1.0mA, I
B
=0
200
40
40
40
-
-
50
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
0.9
-
3.0
pF
V
V
MHz
I
C
=100μ I
E
=0
A,
200
300
-
-
-
-
V
SYMBOL
TEST CONDITION
MIN.
300
TYP.
-
MAX.
-
V
UNIT
*Pulse Test : Pulse Width≦300μ Duty Cycle≦2.0%
S,
1999. 11. 30
Revision No : 3
1/2

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