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MJW16010A

产品描述NPN Silicon Power Transistors
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小174KB,共13页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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MJW16010A概述

NPN Silicon Power Transistors

MJW16010A规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
零件包装代码TO-247AE
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
制造商包装代码CASE 340K-01
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)15 A
集电极-发射极最大电压500 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)5
JEDEC-95代码TO-247AE
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)150 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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ON Semiconductort
NPN Silicon Power Transistors
1 kV SWITCHMODEt Series
These transistors are designed for high–voltage, high–speed, power
switching in inductive circuits where fall time is critical. They are
particularly suited for line–operated SWITCHMODE applications.
Typical Applications:
MJW16010A
*
*ON Semiconductor Preferred Device
POWER TRANSISTORS
15 AMPERES
500 VOLTS
125 AND 175 WATTS
Switching Regulators
Inverters
Solenoids
Relay Drivers
Motor Controls
Deflection Circuits
Features:
Collector–Emitter Voltage — V
CEV
= 1000 Vdc
Fast Turn–Off Times
50 ns Inductive Fall Time — 100_C (Typ)
90 ns Inductive Crossover Time — 100_C (Typ)
900 ns Inductive Storage Time — 100_C (Typ)
100_C Performance Specified for:
Reverse–Biased SOA with Inductive Load
Switching Times with Inductive Loads
Saturation Voltages
Leakage Currents
Extended FBSOA Rating Using Ultra–fast Rectifiers
Extremely High RBSOA Capability
CASE 340K–01
TO–247AE
Preferred
devices are ON Semiconductor recommended choices for future use and best overall value.
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001
1
April, 2001 – Rev. 6
Publication Order Number:
MJW16010A/D
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