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MJE200

产品描述COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小342KB,共3页
制造商Central Semiconductor
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MJE200概述

COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

MJE200规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Central Semiconductor
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)5 A
基于收集器的最大容量80 pF
集电极-发射极最大电压25 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)10
JEDEC-95代码TO-126
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值1.5 W
最大功率耗散 (Abs)15 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)65 MHz
VCEsat-Max1.8 V

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MJE200
MJE210
NPN
PNP
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
COMPLEMENTARY SILICON
POWER TRANSISTORS
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR MJE200, MJE210
types are complementary silicon transistors designed
for high gain amplifier applications.
MARKING: FULL PART NUMBER
TO-126 CASE
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Peak Collector Current
Continuous Base Current
Power Dissipation
Power Dissipation (TC=25°C)
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
Thermal Resistance
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
PD
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
Θ
JC
UNITS
V
V
V
A
A
A
W
W
°C
°C/W
°C/W
40
25
8.0
5.0
10
1.0
1.5
15
-65 to +150
83.4
8.34
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TC=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
ICBO
VCB=40V
ICBO
VCB=40V, TJ=125°C
IEBO
BVCEO
VCE(SAT)
VCE(SAT)
VCE(SAT)
VBE(SAT)
VBE(ON)
hFE
hFE
hFE
fT
Cob
Cob
VEB=8.0V
IC=10mA
IC=500mA, IB=50mA
IC=2.0A, IB=200mA
IC=5.0A, IB=1.0A
IC=5.0A, IB=1.0A
VCE=1.0V, IC=2.0A
VCE=1.0V,
VCE=1.0V,
IC=500mA
IC=2.0A
70
45
10
65
25
MAX
100
100
100
0.3
0.75
1.8
2.5
1.6
180
UNITS
nA
μA
nA
V
V
V
V
V
V
VCE=2.0V, IC=5.0A
VCE=10V, IC=100mA, f=10MHz
VCB=10V, IE=0, f=100kHz (MJE200)
VCB=10V, IE=0, f=100kHz (MJE210)
MHz
80
120
pF
pF
R1 (2-May 2012)

MJE200相似产品对比

MJE200 MJE210
描述 COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
是否无铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 Central Semiconductor Central Semiconductor
Reach Compliance Code unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 5 A 5 A
基于收集器的最大容量 80 pF 120 pF
集电极-发射极最大电压 25 V 25 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 10 10
JEDEC-95代码 TO-126 TO-126
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
JESD-609代码 e0 e0
元件数量 1 1
端子数量 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C
最低工作温度 -65 °C -65 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 NPN PNP
功耗环境最大值 1.5 W 1.5 W
最大功率耗散 (Abs) 15 W 15 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 65 MHz 65 MHz
VCEsat-Max 1.8 V 1.8 V

 
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