电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

MJE10B3

产品描述5 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-127
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小153KB,共4页
制造商New Jersey Semiconductor
官网地址http://www.njsemi.com
下载文档 详细参数 全文预览

MJE10B3概述

5 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-127

5 A, 60 V, PNP, 硅, 功率晶体管, TO-127

MJE10B3规格参数

参数名称属性值
最大集电极电流5 A
最大集电极发射极电压60 V
端子数量3
加工封装描述TO-127VAR, 3 PIN
状态Active
结构DARLINGTON
最小直流放大倍数750
jedec_95_codeTO-127
jesd_30_codeR-PSFM-T3
元件数量1
最大工作温度150 Cel
包装材料PLASTIC/EPOXY
包装形状RECTANGULAR
包装尺寸FLANGE MOUNT
larity_channel_typePNP
wer_dissipation_max__abs_70 W
qualification_statusCOMMERCIAL
sub_categoryOther Transistors
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管元件材料SILICON
额定交叉频率1 MHz

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 112  140  685  1279  1535 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved