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IDT71V416YFS10BE

产品描述Standard SRAM, 256KX16, 10ns, CMOS, PBGA48
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文件大小103KB,共9页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT71V416YFS10BE概述

Standard SRAM, 256KX16, 10ns, CMOS, PBGA48

IDT71V416YFS10BE规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
Objectid1125528542
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间10 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PBGA-B48
JESD-609代码e0
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度16
湿度敏感等级4
端子数量48
字数262144 words
字数代码256000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织256KX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码FBGA
封装等效代码BGA48,6X8,30
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.02 A
最小待机电流3 V
最大压摆率0.2 mA
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn63Pb37)
端子形式BALL
端子节距0.75 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间30

 
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