24 A, 30 V, 0.0033 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
24 A, 30 V, 0.0033 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 零件包装代码 | QFN |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-N3 |
| 针数 | 8 |
| Reach Compliance Code | compli |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 雪崩能效等级（Eas） | 16 mJ |
| 外壳连接 | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 30 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 25 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.0033 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-N3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 200 A |
| 表面贴装 | YES |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| Base Number Matches | 1 |
| IRFH7932TR2PBF | IRFH7932TRPbF | |
|---|---|---|
| 描述 | 24 A, 30 V, 0.0033 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | 24 A, 30 V, 0.0033 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
| 零件包装代码 | QFN | QFN |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-N3 | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, QFN-8 |
| 针数 | 8 | 8 |
| Reach Compliance Code | compli | unknow |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 雪崩能效等级（Eas） | 16 mJ | 14 mJ |
| 外壳连接 | DRAIN | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 30 V | 30 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 25 A | 24 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.0033 Ω | 0.0033 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-N3 | R-PDSO-N3 |
| 元件数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 3 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 | 260 |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 200 A | 192 A |
| 表面贴装 | YES | YES |
| 端子形式 | NO LEAD | NO LEAD |
| 端子位置 | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 | 30 |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
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