电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

GBJ6K

产品描述6 A, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小147KB,共4页
制造商ETC2
下载文档 选型对比 全文预览

GBJ6K在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
GBJ6K - - 点击查看 点击购买

GBJ6K概述

6 A, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

文档预览

下载PDF文档
GBJ6D thru GBJ6M
Glass Passivated Single
Phase Bridge Rectifiers
Reverse Voltage
200 to 1000V
Forward Current
6.0 Amp
Features
Glass passivated die construction
Ideal for printed circuit boards
Plastic material used carries UL
flammability recognition 94V-0
High surge current capability
High temperature soldering guaranteed:
265
/10 seconds, 0.375” (9.5mm) lead
length, 5lbs. (2.3kg) tension
Circuit
Mechanical Data
Case:
Molded plastic case
Terminals:
Plated leads solderable per
-
V
RRM
200V
400V
600V
800V
1000V
MIL-STD-750, Method 2026
Polarity:
Marked on Body
Mounting Position:
Any
Module Type
TYPE
GBJ6D
GBJ6G
GBJ6J
GBJ6K
GBJ6M
Maximum Ratings and Thermal Characteristics
(TA = 25℃ unless otherwise noted)
Symbol
Conditions
Values
6.0
Maximum average forward output rectified current Tc =100℃
I
F(AV)
I
FSM
i
2
t
Visol
R
θJA
R
θJC
T
j
, T
STG
Weight
Electrical Characteristics
(TA = 25℃ unless otherwise noted)
Symbol
Conditions
V
F
I
R
Notes:
Maximum Instantaneous Forward Voltage per leg
Maximum DC reverse current at rated
DC blocking voltage per leg
I
FM
=3.0A
T
A
= 25℃
T
A
= 125℃
(1) Junction to ambient without heatsink
(2) Junction to case with heatsink
(3) Recommended mounting position is to bolt down on heatsink with silicone thermal compound for
maximum heat transfer with #6 screw
www.
smsemi.com
1
Document Number: GBJ6D thru GBJ6M
Jan.12, 2011
+
V
RSM
300V
500V
700V
900V
1100V
Units
A
A
Peak forward surge current single half sine-wave superimposed
on rated load (JEDEC Method)
Rating for fusing (t<8.3ms)
a.c.50HZ;r.m.s.;1min
Maximum thermal resistance per leg
Operating Junction and storage temperature range
Approximate Weight
180
134
2500
A
2
s
V
26
(1)
3.4
(2)
-55 to +150
7.0
℃/W
g
Values
1.0
5.0
500
Units
V
µA

GBJ6K相似产品对比

GBJ6K GBJ6D GBJ6G GBJ6J GBJ6M
描述 6 A, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 6 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 6 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 6 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 6 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
ADI芯片丝印求型号
这是上次拆的激光雷达里的一个ADI芯片,丝印是DN BJ,用途应该是数字电位器或者DAC,之前好像可以在ADI官网搜Marking Code或者是有一个PDF文档好像,我忘了具体的查的方法,这次用尽办法也没找 ......
littleshrimp 综合技术交流
发布一款LM3S6911开发板
这个板子其实很早前就做好了,但因为忙于freescale的一些板子和公司合作的产品开发,LM3S6911的这块板子一直做好扔在这里,最近下狠心把板子整理了下,算是定型。LM3S6911相当old了,但对于学TI ......
bluehacker 微控制器 MCU
buck_boost为什么要从最低输入电压设计
宽输入电压范围的buck_boost为什么要从最低输入电压设计? ...
easthewj 开关电源学习小组
新冠疫情下,UWB是实时定位技术的首选吗?
584685 在许多行业抗击新冠疫情过程中,UWB 是能够帮助追踪接触者和保持社交距离的唯一解决方案。标签中的传感器可作为腕带或 ID 徽章佩戴,用于测量人与人之间的距离,并提供接近预警时间。 ......
alan000345 无线连接
滤波专题,很翔实的
不知道有没人发,共享...
lopopo 模拟电子
求设计一个正弦波振荡电路
正弦波振荡电路 (1) 用文氏电桥制作带稳幅环节的正弦波振荡电路。 (2) 振荡频率可在500Hz——10kHz范围内调节。 (3) 正弦波的相位可在0——180度范围内调节。 想了好久了。可是设计的电路在 ......
1051900339 模拟电子

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 697  2765  2620  1532  616  15  56  53  31  13 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved