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CMPDM7002AE_1310

产品描述SURFACE MOUNT SILICON N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFET
文件大小795KB,共4页
制造商Central Semiconductor
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CMPDM7002AE_1310概述

SURFACE MOUNT SILICON N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFET

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CMPDM7002AE
ENHANCED SPECIFICATION
SURFACE MOUNT SILICON
N-CHANNEL
ENHANCEMENT-MODE
MOSFET
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPDM7002AE
is a special ESD protected version of the 2N7002
enhancement-mode N-Channel MOSFET designed for
high speed pulsed amplifier and driver applications.
MARKING CODE: C702E
SOT-23 CASE
APPLICATIONS:
Load/Power switches
DC-DC converter circuits
Power management
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Drain-Source Voltage
Drain-Gate Voltage
Gate-Source Voltage
FEATURES:
ESD protection up to 1800V
350mW power dissipation
Low gate charge
Low rDS(ON)
SYMBOL
VDS
VDG
VGS
ID
IDM
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
60
60
20
300
800
350
-65 to +150
357
UNITS
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C/W
Continuous Drain Current
Maximum Pulsed Drain Current
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
IDSS
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
IGSSF, IGSSR VGS=20V, VDS=0
VDS=60V, VGS=0
VDS=60V, VGS=0, TJ=125°C
VGS=0, ID=10μA
VDS=VGS, ID=250μA
VGS=0, IS=115mA
VGS=10V, ID=500mA
VGS=5.0V, ID=100mA
VGS=2.5V, ID=10mA
VDS=10V, ID=200mA
VDS=25V, VGS=0, f=1.0MHz
VDS=25V, VGS=0, f=1.0MHz
VDS=25V, VGS=0, f=1.0MHz
220
MAX
10
100
500
UNITS
μA
nA
μA
V
V
V
Ω
Ω
Ω
mS
pF
pF
pF
IDSS
BVDSS
VGS(th)
VSD
60
1.2
0.5
70
1.5
1.0
1.1
3.0
2.0
1.1
1.4
1.8
6.0
5.0
50
25
rDS(ON)
rDS(ON)
rDS(ON)
gFS
Crss
Ciss
Coss
Enhanced specification
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