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BD201

产品描述Epitaxial-Base, Silicon
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小84KB,共3页
制造商New Jersey Semiconductor
官网地址http://www.njsemi.com
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

BD201概述

Epitaxial-Base, Silicon

BD201规格参数

参数名称属性值
厂商名称New Jersey Semiconductor
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codeunknow
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)8 A
集电极-发射极最大电压45 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)30
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

BD201相似产品对比

BD201 BD202 BD203 BD204
描述 Epitaxial-Base, Silicon Epitaxial-Base, Silicon Epitaxial-Base, Silicon Epitaxial-Base, Silicon

 
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