K4S281632K-UC75,K4S281632K-UC75 pdf中文资料,K4S281632K-UC75引脚图,K4S281632K-UC75电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> K4S281632K-UC75

K4S281632K-UC75: 产品描述Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TSOP2-54; 产品类别存储存储; 文件大小243KB，共15页; 制造商SAMSUNG(三星); 官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/; 标准

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K4S281632K-UC75概述

Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TSOP2-54

K4S281632K-UC75规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
Objectid	8154148730
包装说明	TSOP2, TSOP54,.46,32
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	5.4 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	133 MHz
I/O 类型	COMMON
交错的突发长度	1,2,4,8
JESD-30 代码	R-PDSO-G54
JESD-609代码	e3
长度	22.22 mm
内存密度	134217728 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度	16
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	54
字数	8388608 words
字数代码	8000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	8MX16
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP2
封装等效代码	TSOP54,.46,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	4096
座面最大高度	1.2 mm
自我刷新	YES
连续突发长度	1,2,4,8,FP
最大待机电流	0.002 A
最大压摆率	0.2 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin (Sn)
端子形式	GULL WING
端子节距	0.8 mm
端子位置	DUAL
宽度	10.16 mm

K4S281632K-UC75相似产品对比

	K4S281632K-UC75	K4S280832K-UC75T	K4S280832K-UL75	K4S280832K-UL75T	K4S281632K-UC75T	K4S281632K-UL75
描述	Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TSOP2-54	Synchronous DRAM, 16MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54	Synchronous DRAM, 16MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54	Synchronous DRAM, 16MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54	Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54	Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合
包装说明	TSOP2, TSOP54,.46,32	TSOP, TSOP54,.46,32	TSOP, TSOP54,.46,32	TSOP, TSOP54,.46,32	TSOP, TSOP54,.46,32	TSOP, TSOP54,.46,32
Reach Compliance Code	unknown	unknow	unknow	unknow	unknown	unknown
最长访问时间	5.4 ns	5.4 ns	5.4 ns	5.4 ns	5.4 ns	5.4 ns
最大时钟频率 (fCLK)	133 MHz	133 MHz	133 MHz	133 MHz	133 MHz	133 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
交错的突发长度	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8
JESD-30 代码	R-PDSO-G54	R-PDSO-G54	R-PDSO-G54	R-PDSO-G54	R-PDSO-G54	R-PDSO-G54
内存密度	134217728 bit	134217728 bi	134217728 bi	134217728 bi	134217728 bit	134217728 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度	16	8	8	8	16	16
端子数量	54	54	54	54	54	54
字数	8388608 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words	8388608 words	8388608 words
字数代码	8000000	16000000	16000000	16000000	8000000	8000000
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	8MX16	16MX8	16MX8	16MX8	8MX16	8MX16
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP2	TSOP	TSOP	TSOP	TSOP	TSOP
封装等效代码	TSOP54,.46,32	TSOP54,.46,32	TSOP54,.46,32	TSOP54,.46,32	TSOP54,.46,32	TSOP54,.46,32
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	4096	4096	4096	4096	4096	4096
连续突发长度	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP
最大待机电流	0.002 A	0.002 A	0.002 A	0.002 A	0.002 A	0.002 A
最大压摆率	0.2 mA	0.2 mA	0.2 mA	0.2 mA	0.2 mA	0.2 mA
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL

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