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5962-9318707HUA

产品描述Cache SRAM Module, 128KX32, 35ns, CMOS, HIP-66
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文件大小213KB,共32页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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5962-9318707HUA概述

Cache SRAM Module, 128KX32, 35ns, CMOS, HIP-66

5962-9318707HUA规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
Objectid1820273800
零件包装代码PGA
包装说明HIP,
针数66
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间35 ns
JESD-609代码e0
长度30.1 mm
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型CACHE SRAM MODULE
内存宽度32
功能数量1
字数131072 words
字数代码128000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织128KX32
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码HIP
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.84 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层TIN LEAD
端子形式PIN/PEG
端子节距2.54 mm
端子位置HEX
宽度30.1 mm

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REVISIONS
LTR
G
H
J
DESCRIPTION
Added device type 11. Added vendor cage 0EU86 for device type 05
through 09. -sld
Figure 1; changed the maximum limit for dimension D3 from 1.060
inches to 1.086 inches for case outlines 4 and 5. -sld
Added note to paragraph 1.2.2 and table I regarding the 4 transistor
design. Added footnote 3 for case outlines U, T, X, And Y on the
bulletin page. Redrew entire document. -sld
Added device types 12 through 18. -sld
DATE (YR-MO-DA)
99-08-27
00-02-07
00-11-14
APPROVED
Raymond Monnin
Raymond Monnin
Raymond Monnin
K
01-11-13
Raymond Monnin
REV
SHEET
REV
SHEET
REV STATUS
OF SHEETS
PMIC N/A
K
15
K
16
K
17
K
18
REV
SHEET
PREPARED BY
Steve L. Duncan
CHECKED BY
Michael C. Jones
K
19
K
20
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K
1
K
22
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2
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K
3
K
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4
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5
K
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K
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K
11
K
12
K
13
K
14
STANDARD
MICROCIRCUIT
DRAWING
THIS DRAWING IS
AVAILABLE
FOR USE BY ALL
DEPARTMENTS
AND AGENCIES OF THE
DEPARTMENT OF DEFENSE
AMSC N/A
DEFENSE SUPPLY CENTER COLUMBUS
COLUMBUS, OHIO 43216
APPROVED BY
Kendall A. Cottongim
MICROCIRCUIT, HYBRID, DIGITAL, STATIC
RANDOM ACCESS MEMORY, CMOS, 128K x
32-BIT
SIZE
A
SHEET
CAGE CODE
DRAWING APPROVAL DATE
94-06-24
REVISION LEVEL
K
67268
1 OF
26
5962-93187
DSCC FORM 2233
APR 97
DISTRIBUTION STATEMENT A. Approved for public release; distribution is unlimited.
5962-E621-01
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