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2N685

产品描述Silicon Controlled Rectifier, 16000mA I(T), 200V V(DRM)
产品类别模拟混合信号IC    触发装置   
文件大小249KB,共7页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
标准
相似器件已查找到1个与2N685功能相似器件
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2N685概述

Silicon Controlled Rectifier, 16000mA I(T), 200V V(DRM)

2N685规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
Objectid1207928922
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大直流栅极触发电流80 mA
最大直流栅极触发电压3 V
最大维持电流50 mA
通态非重复峰值电流150 A
最大通态电流16000 A
最高工作温度125 °C
最低工作温度-65 °C
断态重复峰值电压200 V
触发设备类型SCR

2N685相似产品对比

2N685 2N5206 2N682 2N683 2N692
描述 Silicon Controlled Rectifier, 16000mA I(T), 200V V(DRM) Silicon Controlled Rectifier Silicon Controlled Rectifier, 16000mA I(T), 50V V(DRM) Silicon Controlled Rectifier, 16000mA I(T), 100V V(DRM) Silicon Controlled Rectifier, 16000mA I(T), 800V V(DRM)
Objectid 1207928922 1207928918 1207928920 1207928921 1207928931
Reach Compliance Code compliant unknown compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
触发设备类型 SCR SCR SCR SCR SCR
是否Rohs认证 符合 - 符合 符合 符合
最大直流栅极触发电流 80 mA - 80 mA 80 mA 80 mA
最大直流栅极触发电压 3 V - 3 V 3 V 3 V
最大维持电流 50 mA - 50 mA 50 mA 50 mA
通态非重复峰值电流 150 A - 150 A 150 A 150 A
最大通态电流 16000 A - 16000 A 16000 A 16000 A
最高工作温度 125 °C - 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -65 °C - -65 °C -65 °C -65 °C
断态重复峰值电压 200 V - 50 V 100 V 800 V

与2N685功能相似器件

器件名 厂商 描述
2N685E3 Microsemi Silicon Controlled Rectifier, 16000mA I(T), 200V V(DRM)
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