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IC43R16800L-7TG

产品描述DDR DRAM, 8MX16, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-66
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文件大小758KB,共56页
制造商ISSI(芯成半导体)
官网地址http://www.issi.com/
标准
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IC43R16800L-7TG概述

DDR DRAM, 8MX16, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-66

IC43R16800L-7TG规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
Objectid1167316135
包装说明TSOP2, TSSOP66,.46
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间0.75 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)143 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度2,4,8
JESD-30 代码R-PDSO-G66
JESD-609代码e3
长度22.22 mm
内存密度134217728 bit
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度16
功能数量1
端口数量1
端子数量66
字数8388608 words
字数代码8000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织8MX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP2
封装等效代码TSSOP66,.46
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源2.5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期4096
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
连续突发长度2,4,8
最大待机电流0.01 A
最大压摆率0.3 mA
最大供电电压 (Vsup)2.7 V
最小供电电压 (Vsup)2.3 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式GULL WING
端子节距0.65 mm
端子位置DUAL
宽度10.16 mm

IC43R16800L-7TG相似产品对比

IC43R16800L-7TG IC43R16800L-7T
描述 DDR DRAM, 8MX16, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-66 DDR DRAM, 8MX16, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-66
是否Rohs认证 符合 不符合
Objectid 1167316135 1167316136
包装说明 TSOP2, TSSOP66,.46 TSOP2, TSSOP66,.46
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
访问模式 FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间 0.75 ns 0.75 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK) 143 MHz 143 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON
交错的突发长度 2,4,8 2,4,8
JESD-30 代码 R-PDSO-G66 R-PDSO-G66
JESD-609代码 e3 e0
长度 22.22 mm 22.22 mm
内存密度 134217728 bit 134217728 bit
内存集成电路类型 DDR DRAM DDR DRAM
内存宽度 16 16
功能数量 1 1
端口数量 1 1
端子数量 66 66
字数 8388608 words 8388608 words
字数代码 8000000 8000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C
组织 8MX16 8MX16
输出特性 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSOP2 TSOP2
封装等效代码 TSSOP66,.46 TSSOP66,.46
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源 2.5 V 2.5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
刷新周期 4096 4096
座面最大高度 1.2 mm 1.2 mm
自我刷新 YES YES
连续突发长度 2,4,8 2,4,8
最大待机电流 0.01 A 0.01 A
最大压摆率 0.3 mA 0.3 mA
最大供电电压 (Vsup) 2.7 V 2.7 V
最小供电电压 (Vsup) 2.3 V 2.3 V
标称供电电压 (Vsup) 2.5 V 2.5 V
表面贴装 YES YES
技术 CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Matte Tin (Sn) - annealed Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING GULL WING
端子节距 0.65 mm 0.65 mm
端子位置 DUAL DUAL
宽度 10.16 mm 10.16 mm
AXD调试,内存中的内容并没有改变.请大家多多指教.
就是ADS Debug运行,启动AXD,看内存的内容不是当前调试程序的内容....
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