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5962H9751702VXC

产品描述MASK ROM, 32KX8, 40ns, CMOS, CDIP28, CERAMIC, DIP-28
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文件大小130KB,共23页
制造商Honeywell
官网地址http://www.ssec.honeywell.com/
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5962H9751702VXC概述

MASK ROM, 32KX8, 40ns, CMOS, CDIP28, CERAMIC, DIP-28

5962H9751702VXC规格参数

参数名称属性值
Objectid2078465061
零件包装代码DIP
包装说明DIP, DIP28,.6
针数28
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A001.A.1.A
最长访问时间40 ns
JESD-30 代码R-CDIP-T28
JESD-609代码e4
内存密度262144 bit
内存集成电路类型MASK ROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量28
字数32768 words
字数代码32000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织32KX8
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DIP
封装等效代码DIP28,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
电源5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别MIL-PRF-38535 Class V
最大待机电流0.00002 A
最大压摆率0.0065 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层GOLD
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
总剂量1M Rad(Si) V

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DESCRIPTION
DATE
(YR-MO-DA)
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SHEET
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REV STATUS
OF SHEETS
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SHEET
PREPARED BY
Gary L. Gross
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14
PMIC N/A
DEFENSE SUPPLY CENTER COLUMBUS
COLUMBUS, OHIO 42316-5000
STANDARD
MICROCIRCUIT
DRAWING
THIS DRAWING IS AVAILABLE
FOR USE BY ALL
DEPARTMENTS
AND AGENCIES OF THE
DEPARTMENT OF DEFENSE
CHECKED BY
Jeff Bowling
APPROVED BY
Raymond Monnin
MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, RADIATION-
HARDENED, 32K x 8-BIT MASK PROGRAMMABLE ROM,
MONOLITHIC SILICON
DRAWING APPROVAL DATE
97-05-30
SIZE
REVISION LEVEL
CAGE CODE
A
SHEET
1
67268
OF
22
5962-97517
AMSC N/A
DSCC FORM 2233
APR 97
DISTRIBUTION STATEMENT A. Approved for public release; distribution is unlimited.
5962-E167-97

5962H9751702VXC相似产品对比

5962H9751702VXC 5962H9751702QXC 5962H9751701QXC 5962H9751701VXC
描述 MASK ROM, 32KX8, 40ns, CMOS, CDIP28, CERAMIC, DIP-28 MASK ROM, 32KX8, 40ns, CMOS, CDIP28, CERAMIC, DIP-28 MASK ROM, 32KX8, 40ns, CMOS, CDIP28, CERAMIC, DIP-28 MASK ROM, 32KX8, 40ns, CMOS, CDIP28, CERAMIC, DIP-28
Objectid 2078465061 2078465043 2078465007 2078465025
零件包装代码 DIP DIP DIP DIP
包装说明 DIP, DIP28,.6 DIP, DIP28,.6 DIP, DIP28,.6 DIP, DIP28,.6
针数 28 28 28 28
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 3A001.A.1.A 3A001.A.1.A 3A001.A.1.A 3A001.A.1.A
最长访问时间 40 ns 40 ns 40 ns 40 ns
JESD-30 代码 R-CDIP-T28 R-CDIP-T28 R-CDIP-T28 R-CDIP-T28
JESD-609代码 e4 e4 e4 e4
内存密度 262144 bit 262144 bit 262144 bit 262144 bit
内存集成电路类型 MASK ROM MASK ROM MASK ROM MASK ROM
内存宽度 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1
端子数量 28 28 28 28
字数 32768 words 32768 words 32768 words 32768 words
字数代码 32000 32000 32000 32000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
组织 32KX8 32KX8 32KX8 32KX8
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码 DIP DIP DIP DIP
封装等效代码 DIP28,.6 DIP28,.6 DIP28,.6 DIP28,.6
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
电源 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
筛选级别 MIL-PRF-38535 Class V MIL-PRF-38535 Class Q MIL-PRF-38535 Class Q MIL-PRF-38535 Class V
最大待机电流 0.00002 A 0.00002 A 0.00002 A 0.00002 A
最大压摆率 0.0065 mA 0.0065 mA 0.0065 mA 0.0065 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY
端子面层 GOLD GOLD GOLD GOLD
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
总剂量 1M Rad(Si) V 1M Rad(Si) V 1M Rad(Si) V 1M Rad(Si) V

 
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