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BT168E

产品描述Thyristors logic level for RCD/ GFI/ LCCB applications
产品类别模拟混合信号IC    触发装置   
文件大小33KB,共6页
制造商Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
官网地址https://www.nxp.com/
标准
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BT168E概述

Thyristors logic level for RCD/ GFI/ LCCB applications

BT168E规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
包装说明,
Reach Compliance Codeunknow
标称电路换相断开时间100 µs
关态电压最小值的临界上升速率25 V/us
最大直流栅极触发电流0.2 mA
最大直流栅极触发电压0.8 V
最大维持电流5 mA
JESD-609代码e3
最大漏电流0.1 mA
通态非重复峰值电流8 A
最大通态电压1.35 V
最大通态电流500 A
最高工作温度125 °C
断态重复峰值电压500 V
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn)
触发设备类型SCR

BT168E相似产品对比

BT168E BT168 BT168B BT168D BT168G
描述 Thyristors logic level for RCD/ GFI/ LCCB applications Thyristors logic level for RCD/ GFI/ LCCB applications Thyristors logic level for RCD/ GFI/ LCCB applications Thyristors logic level for RCD/ GFI/ LCCB applications Thyristors logic level for RCD/ GFI/ LCCB applications
是否Rohs认证 符合 - 不符合 不符合 符合
厂商名称 Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) - Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
Reach Compliance Code unknow - unknow unknow unknow
标称电路换相断开时间 100 µs - 100 µs 100 µs 100 µs
关态电压最小值的临界上升速率 25 V/us - 25 V/us 25 V/us 25 V/us
最大直流栅极触发电流 0.2 mA - 0.2 mA 0.2 mA 0.2 mA
最大直流栅极触发电压 0.8 V - 0.8 V 0.8 V 0.8 V
最大维持电流 5 mA - 5 mA 5 mA 5 mA
JESD-609代码 e3 - e0 e0 e3
最大漏电流 0.1 mA - 0.1 mA 0.1 mA 0.1 mA
通态非重复峰值电流 8 A - 8 A 8 A 8 A
最大通态电压 1.35 V - 1.35 V 1.35 V 1.35 V
最大通态电流 500 A - 500 A 500 A 500 A
最高工作温度 125 °C - 125 °C 125 °C 125 °C
断态重复峰值电压 500 V - 200 V 400 V 600 V
表面贴装 NO - NO NO NO
端子面层 Matte Tin (Sn) - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Matte Tin (Sn)
触发设备类型 SCR - SCR SCR SCR
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