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54HCTLS32J

产品描述OR Gate, CMOS, CDIP14
产品类别逻辑    逻辑   
文件大小194KB,共3页
制造商Ideal Semiconductor Inc
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54HCTLS32J概述

OR Gate, CMOS, CDIP14

54HCTLS32J规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Objectid100773600
包装说明DIP, DIP14,.3
Reach Compliance Codeunknown
JESD-30 代码R-XDIP-T14
JESD-609代码e0
负载电容(CL)50 pF
逻辑集成电路类型OR GATE
最大I(ol)0.008 A
端子数量14
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料CERAMIC
封装代码DIP
封装等效代码DIP14,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
电源5 V
Prop。Delay @ Nom-Sup28 ns
认证状态Not Qualified
施密特触发器NO
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL

54HCTLS32J相似产品对比

54HCTLS32J 74HCTLS32J
描述 OR Gate, CMOS, CDIP14 OR Gate, CMOS, CDIP14
是否Rohs认证 不符合 不符合
Objectid 100773600 100773582
包装说明 DIP, DIP14,.3 DIP, DIP14,.3
Reach Compliance Code unknown unknown
JESD-30 代码 R-XDIP-T14 R-XDIP-T14
JESD-609代码 e0 e0
负载电容(CL) 50 pF 50 pF
逻辑集成电路类型 OR GATE OR GATE
最大I(ol) 0.008 A 0.008 A
端子数量 14 14
最高工作温度 125 °C 85 °C
最低工作温度 -55 °C -40 °C
封装主体材料 CERAMIC CERAMIC
封装代码 DIP DIP
封装等效代码 DIP14,.3 DIP14,.3
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE
电源 5 V 5 V
Prop。Delay @ Nom-Sup 28 ns 22 ns
认证状态 Not Qualified Not Qualified
施密特触发器 NO NO
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V
表面贴装 NO NO
技术 CMOS CMOS
温度等级 MILITARY INDUSTRIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL
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