UVPROM, 512KX8, 200ns, CMOS, CDIP40, CERDIP-40
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | WDIP, DIP40(UNSPEC) |
| 针数 | 40 |
| Reach Compliance Code | compli |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 200 ns |
| 备用内存宽度 | 16 |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T40 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 52.325 mm |
| 内存密度 | 4194304 bi |
| 内存集成电路类型 | UVPROM |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 40 |
| 字数 | 524288 words |
| 字数代码 | 512000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 512KX8 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | WDIP |
| 封装等效代码 | DIP40(UNSPEC) |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE, WINDOW |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.72 mm |
| 最大待机电流 | 0.0001 A |
| 最大压摆率 | 0.05 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 15.24 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| 27C400-200V10 | 27C400-150V10 | D27C400-200V10 | |
|---|---|---|---|
| 描述 | UVPROM, 512KX8, 200ns, CMOS, CDIP40, CERDIP-40 | UVPROM, 512KX8, 150ns, CMOS, CDIP40, CERDIP-40 | UVPROM, 256KX16, 200ns, CMOS, CDIP40 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 包装说明 | WDIP, DIP40(UNSPEC) | WDIP, DIP40(UNSPEC) | DIP, DIP40(UNSPEC) |
| Reach Compliance Code | compli | compli | unknow |
| 最长访问时间 | 200 ns | 150 ns | 200 ns |
| I/O 类型 | COMMON | COMMON | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T40 | R-GDIP-T40 | R-XDIP-T40 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 |
| 内存密度 | 4194304 bi | 4194304 bi | 4194304 bi |
| 内存集成电路类型 | UVPROM | UVPROM | UVPROM |
| 内存宽度 | 8 | 8 | 16 |
| 端子数量 | 40 | 40 | 40 |
| 字数 | 524288 words | 524288 words | 262144 words |
| 字数代码 | 512000 | 512000 | 256000 |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | 70 °C |
| 组织 | 512KX8 | 512KX8 | 256KX16 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC |
| 封装代码 | WDIP | WDIP | DIP |
| 封装等效代码 | DIP40(UNSPEC) | DIP40(UNSPEC) | DIP40(UNSPEC) |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE, WINDOW | IN-LINE, WINDOW | IN-LINE |
| 电源 | 5 V | 5 V | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 最大待机电流 | 0.0001 A | 0.0001 A | 0.0001 A |
| 最大压摆率 | 0.05 mA | 0.05 mA | 0.05 mA |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | NO | NO |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL |
| Base Number Matches | 1 | 1 | 1 |
| 是否无铅 | 含铅 | 含铅 | - |
| 零件包装代码 | DIP | DIP | - |
| 针数 | 40 | 40 | - |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | - |
| 备用内存宽度 | 16 | 16 | - |
| 长度 | 52.325 mm | 52.325 mm | - |
| 功能数量 | 1 | 1 | - |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | - |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | - |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
| 座面最大高度 | 5.72 mm | 5.72 mm | - |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | - |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V | - |
| 端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm | - |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
| 宽度 | 15.24 mm | 15.24 mm | - |
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