3 A, 100 V, 4 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
包装说明 | SMA, SIP-12 |
针数 | 12 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
其他特性 | BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 0.067 |
最大集电极电流 (IC) | 3 A |
集电极-发射极最大电压 | 100 V |
配置 | COMPLEX |
最小直流电流增益 (hFE) | 2000 |
JESD-30 代码 | R-PSIP-T12 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 4 |
端子数量 | 12 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | NPN |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 40 MHz |
Base Number Matches | 1 |
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