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SMA428ATR

产品描述High Gain, Low Noise Amplifier
产品类别无线/射频/通信    射频和微波   
文件大小78KB,共8页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
标准
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SMA428ATR概述

High Gain, Low Noise Amplifier

SMA428ATR规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ST(意法半导体)
包装说明TSSOP6,.08
Reach Compliance Codecompli
特性阻抗50 Ω
构造COMPONENT
增益18 dB
最大输入功率 (CW)8 dBm
安装特点SURFACE MOUNT
功能数量1
端子数量6
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装等效代码TSSOP6,.08
电源2.7 V
射频/微波设备类型NARROW BAND LOW POWER
表面贴装YES

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SMA428A
High Gain, Low Noise Amplifier
PRELIMINARY DATA
HIGH GAIN Gp = 21 dB at 1.85 GHz
LOW NOISE FIGURE NF = 1.3 dB at 1.85 GHz
LOW CURRENT CONSUMPTION 5.9 mA
OPEN COLLECTOR OUTPUT
TYPICAL SUPPLY VOLTAGE: 2.4-3 V
GAIN-STEP-MODE (36dB)
ULTRA MINIATURE SOT323-6L PACKAGE (LEAD
FREE)
APPLICATIONS
LNA FOR CELLULAR MARKET (ideal for GSM900,
DCS1800 and PCS1900).
LNA FOR GPS APPLICATIONS
DESCRIPTION
High gain and low noise figures make the SMA428A an
ideal solution for Low Noise Amplifiers and receiver
front end stages up to 2.5 GHz. SMA428A’s typical
supply voltage range is 2.4 to 3.3 volts. It shows
excellent performances in terms of NF, Gain and
current consumption, using just 3 external matching
components. Applying supply voltage to the GS pin and
grounding Vcc pin, it provides a reduced gain step of 35
dB. SMA428A is housed in ultra miniature SOT323-6L
package(LEAD FREE), the relative dimensions are
1.15mmx1.8mm with 0.8mm thickness.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
cc
V
out
V
GS
I
tot
I
in
P
tot
P
IN
T
op
T
stg
T
j
Device voltage
Voltage at pin Out
Voltage at pin GS
Total Device Current
Current into pin In
Total dissipation, T
s
<
125
o
C
Input Power
Operating temperature
Storage temperature
Max. operating junction temperature
Parameter
Value
4
4
3.5
12
0.5
60
8
-40 to +85
-65 to +150
150
Unit
V
V
V
mA
mA
mW
dBm
o
C
o
C
o
C
SOT323-6L (SC70)
ORDER CODE
SMA428ATR
BRANDING
TBD
BLOCK DIAGRAM
Vcc, 1
GS, 4
In, 6
Out, 3
GND, 2;5
THERMAL RESISTANCE
R
thjs
March, 10 2003
Thermal Resistance Junction soldering point
200
o
C/W
1/8

SMA428ATR相似产品对比

SMA428ATR SMA428A
描述 High Gain, Low Noise Amplifier High Gain, Low Noise Amplifier
厂商名称 ST(意法半导体) ST(意法半导体)
Reach Compliance Code compli compli
特性阻抗 50 Ω 50 Ω
构造 COMPONENT COMPONENT
增益 18 dB 18 dB
最大输入功率 (CW) 8 dBm 8 dBm
最高工作温度 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
射频/微波设备类型 NARROW BAND LOW POWER NARROW BAND LOW POWER

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