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SMA5102

产品描述N-channel With built-in flywheel diode
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小20KB,共1页
制造商SANKEN
官网地址http://www.sanken-ele.co.jp/en/
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SMA5102概述

N-channel With built-in flywheel diode

SMA5102规格参数

参数名称属性值
包装说明IN-LINE, R-PSIP-T12
针数12
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)16 mJ
配置COMPLEX
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (ID)4 A
最大漏源导通电阻0.6 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSIP-T12
元件数量4
端子数量12
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)8 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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SMA5102
Absolute maximum ratings
Symbol
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(
pulse
)
E
AS
*
I
F
I
FSM
V
R
P
T
Ratings
100
±20
±4
±8
(PW≤1ms)
16
4 (PW≤0.5ms, Du≤25%)
8 (PW≤10ms, Single pulse)
120
4
(Ta=25°C, with all circuits operating, without heatsink)
28 (Tc=25°C,
with all circuits operating, with infinite heatsink
)
31.2 (Junction-Air, Ta=25°C, with all circuits operating)
4.46 (Junction-Case, Tc=25°C, with all circuits operating)
150
–40 to +150
N-channel
With built-in flywheel diode
Electrical characteristics
Symbol
V
(BR)DSS
I
GSS
I
DSS
V
TH
Re
(
yfs
)
R
DS(
ON
)
Ciss
Coss
t
on
t
off
V
SD
t
rr
min
100
Specification
typ
max
±500
250
4.0
1.7
0.50
180
82
40
40
1.2
250
0.60
Unit
V
nA
µ
A
V
S
pF
pF
ns
ns
V
ns
External dimensions
B
•••
SMA
(T
a
=25°C)
(T
a
=25°C)
Uni
V
V
A
A
mJ
A
A
V
W
W
°C/W
°C/W
°C
°C
Conditions
I
D
=250
µ
A, V
GS
=0V
V
GS
=±20V
V
DS
=100V, V
GS
=0V
V
DS
=10V, I
D
=250
µ
A
V
DS
=10V, I
D
=4A
V
GS
=10V, I
D
=4A
V
DS
=25V, f=1.0MHz,
V
GS
=0V
I
D
=4A, V
DD
50V, V
GS
=10V,
see Fig. 3 on page 16.
I
SD
=4A, V
GS
=0V
I
SD
=±100mA
2.0
1.1
θ
j–a
θ
j–c
Tch
Tstg
2.0
qDiode
for flyback voltage absorption
Symbol
V
R
V
F
I
R
t
rr
min
120
Specification
typ
max
1.0
100
1.2
10
Unit
V
V
µ
A
ns
Conditions
I
R
=10
µ
A
I
F
=1A
V
R
=120V
I
F
=±100mA
* : V
DD
=20V, L=1mH, I
D
=5A, unclamped, see Fig. E on page 15.
2
3
4
9
10
11
1
5
8
12
6
7
Characteristic curves
I
D
-V
DS
Characteristics (Typical)
8
7
6
7V
10V
I
D
-V
GS
Characteristics (Typical)
(V
DS
=10V)
8
T
C
=–40°C
R
DS(ON)
-I
D
Characteristics (Typical)
0.8
(V
DS
=10V)
7
6
5
4
3
2
1
0
0
2
4
25°C
125°C
0.6
I
D
(A)
5
I
D
(A)
6V
3
2
V
GS
=5V
R
DS
4
(ON)
(Ω)
0.4
0.2
0
0
1
0
0
10
20
6
8
10
1
2
3
4
5
6
7
8
V
DS
(V)
V
GS
(V)
I
D
(A)
Re
(yfs)
-I
D
Characteristics (Typical)
(V
DS
=10V)
5
R
DS(ON)
-T
C
Characteristics (Typical)
1.2
Capacitance-V
DS
Characteristics (Typical)
600
I
D
=4A
V
GS
=10V
V
GS
=0V
f=1MHz
1.0
Ciss
0.8
Capacitance (pF)
Re (yfs) (S)
(Ω)
(ON)
100
50
Coss
T
C
=–40°C
25°C
R
DS
1
0.6
0.5
0.4
125°C
0.2
0.2
0.05
Crss
10
5
0.1
0.5
1
5
8
0
–40
0
50
100
150
0
10
20
30
40
50
I
D
(A)
T
C
(°C)
V
DS
(V)
I
DR
-V
SD
Characteristics (Typical)
8
7
6
10
Safe Operating Area (SOA)
(T
C
=25°C)
I
D
(pulse) max
P
T
-T
a
Characteristics
30
With Silicone Grease
Natural Cooling
All Circuits Operating
0
10
µ
s
5
D
25
1m
s
10
IT
E
m
LI
M
s
(1
o
sh
I
DR
(A)
(O
I
D
(A)
5
4
3
2
1
5V
10V
V
GS
=0V
N)
20
P
T
(W)
t)
W
R
D
S
ith
ite
fin
In
1
15
He
s
at
0.5
in
10
k
5
Without Heatsink
0.1
0.5
0
0
0.5
1.0
1.5
1
5
10
50
100
0
0
50
100
150
V
SD
(V)
V
DS
(V)
T
a
(°C)
98
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