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SMA5112

产品描述N-channel 3-phase DC motor 100V AC direct drive
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小381KB,共2页
制造商SANKEN
官网地址http://www.sanken-ele.co.jp/en/
标准
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SMA5112概述

N-channel 3-phase DC motor 100V AC direct drive

SMA5112规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
包装说明IN-LINE, R-PSIP-T12
针数12
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)55 mJ
配置COMPLEX
最小漏源击穿电压250 V
最大漏极电流 (ID)7 A
最大漏源导通电阻0.5 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSIP-T12
元件数量6
端子数量12
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)15 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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SMA5112
Absolute maximum ratings
Symbol
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(
pulse
)
E
AS
*
P
T
Ratings
250
±20
±7
±15
(
PW≤1ms, Du≤1%
)
55
N-channel
3-phase DC motor 100V AC direct drive
Electrical characteristics
Symbol
V
(
BR)DSS
I
GSS
I
DSS
V
TH
Re
(
yfs
)
R
DS(ON)
Ciss
Coss
td
(
on
)
t
r
td
(off)
t
f
V
SD
t
rr
min
250
Specification
typ
max
±100
100
2.0
2.5
4.0
5.0
0.4
450
280
20
30
55
75
1.0
600
0.5
Unit
V
nA
µ
A
V
S
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
External dimensions
B
•••
SMA
(T
a
=25°C)
(T
a
=25°C)
Unit
V
V
A
A
mJ
Conditions
I
D
=100
µ
A, V
GS
=0V
V
GS
=±20V
V
DS
=250V, V
GS
=0V
V
DS
=10V, I
D
=1mA
V
DS
=10V, I
D
=3.5A
V
GS
=10V, I
D
=3.5A
V
DS
=10V, f=1.0MHz,
V
GS
=0V
I
D
=3.5A,
V
DD
100V,
R
L
=28.6Ω, V
GS
=10V,
see Fig. 3 on page 16.
I
SD
=7A, V
GS
=0V
I
SD
=±100mA
θ
j-a
θ
j-c
Tch
Tstg
4 (
Ta=25°C, with all circuits operating, without heatsink
)
W
35 (
Tc=25°C,with all circuits operating, with infinite heatsink
) W
31.2 (
Junction-Air, Ta=25°C, with all circuits operating
)
°C/W
3.57 (
Junction-Case, Tc=25°C, with all circuits operating
)
°C/W
150
°C
–40 to +150
°C
* : V
DD
=25V, L=2.0mH, I
D
=7A, unclamped, R
G
=50Ω, see Fig. E on page 15.
1.5
sEquivalent
circuit diagram
1
2
8
4
9
6
10
5
12
11
3
7
Characteristic curves
I
D
-V
DS
Characteristics (Typical)
7
10V
I
D
-V
GS
Characteristics (Typical)
7
R
DS(ON)
-I
D
Characteristics (Typical)
0.5
(V
DS
=10V)
(V
GS
=10V)
6V
5.5V
6
5
6
0.4
5
(Ω)
I
D
(A)
4
3
2
T
C
=–
40
°
C
I
D
(A)
3
2
1
V
GS
=4V
R
DS
125
°
C
25
°
C
(ON)
4
5V
0.3
0.2
4.5V
0.1
1
0
0
0
0
2
4
6
8
10
V
DS
(V)
2
4
6
8
0
0
1
2
3
4
5
6
7
V
GS
(V)
I
D
(A)
Re
(yfs)
-I
D
Characteristics (Typical)
(V
DS
=10V)
10
R
DS(ON)
-T
C
Characteristics (Typical)
1.0
Capacitance-V
DS
Characteristics (Typical)
2000
1000
I
D
=3.5A
V
GS
=10V
V
GS
=0V
f=1MHz
5
°
C
40
=–
T
C
5
°
C
2
C
5
°
12
0.8
500
Ciss
(ON)
0.6
Capacitance (pF)
Re (yfs) (S)
(Ω)
100
50
Coss
R
DS
1
0.4
0.2
10
5
Crss
0.5
0.3
0.05
0
–40
0.1
0.5
1
5 7
0
50
100
150
2
0
10
20
30
40
50
I
D
(A)
T
C
(°C)
V
DS
(V)
I
DR
-V
SD
Characteristics (Typical)
7
6
5
20
10
5
Safe Operating Area (SOA)
(T
C
=25°C)
I
D
(pulse) max
P
T
-T
a
Characteristics
40
35
30
25
W
ith
10
0
µ
s
With Silicone Grease
Natural Cooling
All Circuits Operating
1m
s
10
m
s
I
DR
(A)
4
3
2
5.10V
)
1
0.5
P
T
(W)
I
D
(A)
R
DS (ON)
LIMITED
(1
sh
ot
20
15
10
In
fin
ite
He
at
sin
k
V
GS
=0V
1
0
0
0.1
0.5
1.0
1.5
0.05
3
5
Without Heatsink
0
5
10
50
100
500
0
50
100
150
V
SD
(V)
V
DS
(V)
T
a
(°C)
136
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