IDT6167S-55LB,IDT6167S-55LB pdf中文资料,IDT6167S-55LB引脚图,IDT6167S-55LB电路-Datasheet-电子工程世界

IDT6167S-55LB: 产品描述Standard SRAM, 16KX1, 55ns, CMOS, CQCC20; 产品类别存储存储; 文件大小411KB，共8页; 制造商IDT (Integrated Device Technology)

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IDT6167S-55LB概述

Standard SRAM, 16KX1, 55ns, CMOS, CQCC20

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
Reach Compliance Code	_compli
最长访问时间	55 ns
I/O 类型	SEPARATE
JESD-30 代码	R-XQCC-N20
JESD-609代码	e0
内存密度	16384 bi
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	1
端子数量	20
字数	16384 words
字数代码	16000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	16KX1
输出特性	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC
封装代码	QCCN
封装等效代码	LCC20,.3X.43
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
筛选级别	38535Q/M;38534H;883B
最大压摆率	0.06 mA
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	NO LEAD
端子节距	1.27 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	6
Base Number Matches	1

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