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SMAB33

产品描述3 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小379KB,共2页
制造商KEC
官网地址http://www.keccorp.com/
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SMAB33概述

3 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE

SMAB33规格参数

参数名称属性值
厂商名称KEC
包装说明SMA, 2 PIN
针数2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-C2
最大非重复峰值正向电流70 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压30 V
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子形式C BEND
端子位置DUAL

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SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
SWITCHING TYPE POWER SUPPLY APPLICATIONS.
FEATURES
Low Profile Surface Mount Package.
Low Power Loss, High Efficiency.
For Use in Low Voltage, High Frequency inverters, Free
Wheeling, and Polarity Protection Applications.
2
SMAB33
SCHOTTKY BARRIER TYPE DIODE
H
A
D
APPLICATION
Switching Power Supply.
DC/DC Converter.
Home Appliances, Office Equipment.
Telecommunication.
1
C
B
G
1. ANODE
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
MILLIMETERS
_
4.5 + 0.2
_
2.6 + 0.2
_
1.5 + 0.2
_
5.0 + 0.3
_
1.2 + 0.3
_
2.0 + 0.2
0 ~ 0.15
R 0.5
MAXIMUM RATING (Ta=25
CHARACTERISTIC
)
SYMBOL
V
RRM
I
O
I
FSM
T
j
T
stg
RATING
30
3
70
-40 125
-40 125
UNIT
V
A
A
2. CATHODE
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage
Average Output Rectitifed Current
Peak One Cycle Surge Forward Current
(Non-Repetitive 60Hz)
Junction Temperature
Storage Temperature Range
Marking
F
SMA
Type Name
B33
Lot No.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 )
CHARACTERISTIC
Peak Forward Voltage
Repetitive Peak Reverse Current
Thermal Resistance
SYMBOL
V
FM
I
RRM
R
th(j-1)
R
th(j-a)
TEST CONDITION
I
FM
=3.0A
V
RRM
=Rated
Junction to lead
Junction to ambient
(on alumina substrate)
MIN.
-
-
-
-
TYP.
-
-
-
-
MAX.
0.45
2.0
23
108
/W
UNIT
V
mA
2002. 3. 7
Revision No : 3
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