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M5M2167S-55

产品描述Standard SRAM, 16KX1, 55ns, MOS, CDIP20
产品类别存储    存储   
文件大小224KB,共4页
制造商Mitsubishi(日本三菱)
官网地址http://www.mitsubishielectric.com/semiconductors/
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M5M2167S-55概述

Standard SRAM, 16KX1, 55ns, MOS, CDIP20

M5M2167S-55规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Mitsubishi(日本三菱)
包装说明DIP, DIP20,.3
Reach Compliance Codeunknow
最长访问时间55 ns
I/O 类型SEPARATE
JESD-30 代码R-XDIP-T20
JESD-609代码e0
内存密度16384 bi
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度1
端子数量20
字数16384 words
字数代码16000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织16KX1
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC
封装代码DIP
封装等效代码DIP20,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
电源5 V
认证状态Not Qualified
最大压摆率0.125 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术MOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
Base Number Matches1
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