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SMAJ110

产品描述400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小29KB,共4页
制造商EIC [EIC discrete Semiconductors]
标准
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SMAJ110概述

400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC

SMAJ110规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称EIC [EIC discrete Semiconductors]
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
击穿电压标称值135.5 V
最大钳位电压196 V
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
极性UNIDIRECTIONAL
最大重复峰值反向电压110 V
表面贴装YES

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SMAJ 5.0 ~ 170A
V
BR
: 6.8 - 200 Volts
P
PK
: 400 Watts
FEATURES :
* 400W surge capability at 1ms
* Excellent clamping capability
* Low zener impedance
* Fast response time : typically less
then 1.0 ps from 0 volt to V
BR(min.)
* Typical I
R
less then 1
µ
A above 10V
SURFACE MOUNT TRANSIENT
VOLTAGE SUPPRESSOR
SMA (DO-214AC)
1.1
±
0.3
5.0
±
0.15
4.5
±
0.15
1.2
±
0.2
2.6
±
0.15
2.1
±
0.2
0.2
±
0.07
MECHANICAL DATA
* Case : SMA Molded plastic
* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant
* Lead : Lead Formed for Surface Mount
* Polarity : Color band denotes cathode end except Bipolar.
* Mounting position : Any
* Weight : 0.064 grams
2.0
±
0.2
Dimensions in millimeter
MAXIMUM RATINGS
Rating at Ta = 25
°
C ambient temperature unless otherwise specified.
Rating
Peak Pulse Power Dissipation (Note1,2,5) Fig. 4
Peak Forward Surge Current per Fig. 5 (Note 3)
Peak Pulse Current on 10/1000
µ
s
waveform (Note 1, Fig. 1)
Steady State Power Dissipation (Note 4)
Operating Junction and Storage Temperature Range
Notes :
Symbol
P
PPM
I
FSM
I
PPM
P
M(AV)
T
J,
T
STG
Value
Minimum 400
40
See Table
1.0
- 55 to + 150
Units
Watts
Amps
Amps
Watt
°
C
(1) Non-repetitive Current pulse, per Fig. 3 and derated above Ta = 25
°
C per Fig. 1
(2) Mounted on 5.0mm (0.013mm) copper pads to each terminal.
(3) 8.3ms single half sine-wave duty cycle=4 pulses per minutes maximum.
(4) Lead temperature at T
L
=75
°
C
(5) Peak pulse power waveform is 10/1000µs.
2
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