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BT136S

产品描述DIODE ZENER DUAL COMMON-ANODE 300mW 5.1Vz 5mA-Izt 0.05 0.1uA-Ir 0.8 SOT-23 3K/REEL
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小38KB,共6页
制造商Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
官网地址https://www.nxp.com/
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BT136S概述

DIODE ZENER DUAL COMMON-ANODE 300mW 5.1Vz 5mA-Izt 0.05 0.1uA-Ir 0.8 SOT-23 3K/REEL

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Philips Semiconductors
Product specification
Triacs
logic level
GENERAL DESCRIPTION
Glass passivated, sensitive gate
triacs in a plastic envelope suitable for
surface mounting, intended for use in
general
purpose
bidirectional
switching
and
phase
control
applications. These devices are
intended to be interfaced directly to
microcontrollers, logic integrated
circuits and other low power gate
trigger circuits.
BT136S series D
BT136M series D
QUICK REFERENCE DATA
SYMBOL
V
DRM
I
T(RMS)
I
TSM
PARAMETER
BT136S
(or BT136M)-
Repetitive peak off-state
voltages
RMS on-state current
Non-repetitive peak on-state current
MAX. MAX. UNIT
500D
500
4
25
600D
600
4
25
V
A
A
PINNING - SOT428
PIN
Standard Alternative
NUMBER
S
M
1
2
3
tab
MT1
MT2
gate
MT2
gate
MT2
MT1
MT2
PIN CONFIGURATION
tab
SYMBOL
T2
T1
2
1
3
G
LIMITING VALUES
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).
SYMBOL
V
DRM
I
T(RMS)
I
TSM
PARAMETER
Repetitive peak off-state
voltages
RMS on-state current
Non-repetitive peak
on-state current
I
2
t for fusing
Repetitive rate of rise of
on-state current after
triggering
full sine wave; T
mb
107 ˚C
full sine wave; T
j
= 25 ˚C prior to
surge
t = 20 ms
t = 16.7 ms
t = 10 ms
I
TM
= 6 A; I
G
= 0.2 A;
dI
G
/dt = 0.2 A/µs
T2+ G+
T2+ G-
T2- G-
T2- G+
CONDITIONS
MIN.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-40
-
-500
500
1
4
25
27
3.1
50
50
50
10
2
5
5
0.5
150
125
MAX.
-600
600
1
UNIT
V
A
A
A
A
2
s
A/µs
A/µs
A/µs
A/µs
A
V
W
W
˚C
˚C
I
2
t
dI
T
/dt
I
GM
V
GM
P
GM
P
G(AV)
T
stg
T
j
Peak gate current
Peak gate voltage
Peak gate power
Average gate power
Storage temperature
Operating junction
temperature
over any 20 ms period
1
Although not recommended, off-state voltages up to 800V may be applied without damage, but the triac may
switch to the on-state. The rate of rise of current should not exceed 3 A/µs.
July 1997
1
Rev 1.000

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