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SM12G45A: 产品描述TOSHIBA BI−DIRECTIONAL TRIODE THYRISTOR SILICON PLANAR TYPE; 产品类别模拟混合信号IC 触发装置; 文件大小192KB，共5页; 制造商Toshiba(东芝); 官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/

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SM12G45A概述

TOSHIBA BI−DIRECTIONAL TRIODE THYRISTOR SILICON PLANAR TYPE

SM12G45A规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Toshiba(东芝)
零件包装代码	TO-220AB
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数	3
Reach Compliance Code	unknow
外壳连接	MAIN TERMINAL 2
配置	SINGLE
换向电压的临界上升率-最小值	4 V/us
最大直流栅极触发电流	20 mA
最大直流栅极触发电压	1.5 V
最大维持电流	50 mA
JEDEC-95代码	TO-220AB
JESD-30 代码	R-PSFM-T3
最大漏电流	2 mA
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-40 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified
最大均方根通态电流	12 A
重复峰值关态漏电流最大值	2000 µA
断态重复峰值电压	400 V
表面贴装	NO
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
触发设备类型	TRIAC

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SM12G45,SM12J45,SM12G45A,SM12J45A

TOSHIBA BI−DIRECTIONAL TRIODE THYRISTOR SILICON PLANAR TYPE

SM12G45,SM12J45,SM12G45A,SM12J45A

AC POWER CONTROL APPLICATIONS

Unit: mm

Repetitive Peak Off−State Voltage : V

DRM

= 400, 600V

R.M.S On−State Current

High Commutating (dv / dt)

: I

T (RMS)

12A

MAXIMUM RATINGS

CHARACTERISTIC

SM12G45

SM12G45A

SM12J45

SM12J45A

SYMBOL

RATING

400

DRM

600

T (RMS)

TSM

I t

di / dt

G (AV)

stg

UNIT

Repetitive Peak

Off−State Voltage

R.M.S On−State Current

(Full Sine Waveform Tc = 98°C)

Peak One Cycle Surge On−State

Current (Non−Repetitive)

I t Limit Value (t = 1~10ms)

Critical Rate of Rise of On−State

Current

Peak Gate Power Dissipation

Average Gate Power Dissipation

Peak Gate Voltage

Peak Gate Current

Junction Temperature

Storage Temperature Range

120 (50Hz)

132 (60Hz)

0.5

−40~125

A s

A / µs

°C

JEDEC

JEITA

TOSHIBA

Weight: 2.0g

TO−220AB

―

13−10G1A

2001-07-13

SM12G45,SM12J45,SM12G45A,SM12J45A

RESTRICTIONS ON PRODUCT USE

000707EAA

TOSHIBA is continually working to improve the quality and reliability of its products. Nevertheless, semiconductor

devices in general can malfunction or fail due to their inherent electrical sensitivity and vulnerability to physical

stress. It is the responsibility of the buyer, when utilizing TOSHIBA products, to comply with the standards of

safety in making a safe design for the entire system, and to avoid situations in which a malfunction or failure of

such TOSHIBA products could cause loss of human life, bodily injury or damage to property.

In developing your designs, please ensure that TOSHIBA products are used within specified operating ranges as

set forth in the most recent TOSHIBA products specifications. Also, please keep in mind the precautions and

conditions set forth in the “Handling Guide for Semiconductor Devices,” or “TOSHIBA Semiconductor Reliability

Handbook” etc..

The TOSHIBA products listed in this document are intended for usage in general electronics applications

(computer, personal equipment, office equipment, measuring equipment, industrial robotics, domestic appliances,

etc.). These TOSHIBA products are neither intended nor warranted for usage in equipment that requires

extraordinarily high quality and/or reliability or a malfunction or failure of which may cause loss of human life or

bodily injury (“Unintended Usage”). Unintended Usage include atomic energy control instruments, airplane or

spaceship instruments, transportation instruments, traffic signal instruments, combustion control instruments,

medical instruments, all types of safety devices, etc.. Unintended Usage of TOSHIBA products listed in this

document shall be made at the customer’s own risk.

The information contained herein is presented only as a guide for the applications of our products. No

responsibility is assumed by TOSHIBA CORPORATION for any infringements of intellectual property or other

rights of the third parties which may result from its use. No license is granted by implication or otherwise under

any intellectual property or other rights of TOSHIBA CORPORATION or others.

The information contained herein is subject to change without notice.

2001-07-13

SM12G45A相似产品对比

	SM12G45A	SM12G45	SM12J45	SM12J45A
描述	TOSHIBA BI−DIRECTIONAL TRIODE THYRISTOR SILICON PLANAR TYPE	TOSHIBA BI−DIRECTIONAL TRIODE THYRISTOR SILICON PLANAR TYPE	TOSHIBA BI−DIRECTIONAL TRIODE THYRISTOR SILICON PLANAR TYPE	TOSHIBA BI−DIRECTIONAL TRIODE THYRISTOR SILICON PLANAR TYPE
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	Toshiba(东芝)	Toshiba(东芝)	Toshiba(东芝)	Toshiba(东芝)
零件包装代码	TO-220AB	TO-220AB	TO-220AB	TO-220AB
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数	3	3	3	3
Reach Compliance Code	unknow	unknow	unknow	unknow
外壳连接	MAIN TERMINAL 2	MAIN TERMINAL 2	MAIN TERMINAL 2	MAIN TERMINAL 2
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
换向电压的临界上升率-最小值	4 V/us	10 V/us	10 V/us	4 V/us
最大直流栅极触发电流	20 mA	30 mA	30 mA	20 mA
最大直流栅极触发电压	1.5 V	2 V	2 V	1.5 V
最大维持电流	50 mA	50 mA	50 mA	50 mA
JEDEC-95代码	TO-220AB	TO-220AB	TO-220AB	TO-220AB
JESD-30 代码	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3
最大漏电流	2 mA	2 mA	2 mA	2 mA
元件数量	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大均方根通态电流	12 A	12 A	12 A	12 A
重复峰值关态漏电流最大值	2000 µA	2000 µA	2000 µA	2000 µA
断态重复峰值电压	400 V	400 V	600 V	600 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
触发设备类型	TRIAC	TRIAC	TRIAC	TRIAC

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