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K4D261638F-LC40

产品描述DDR DRAM, 8MX16, 0.6ns, CMOS, PDSO66
产品类别存储    存储   
文件大小227KB,共18页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
标准
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K4D261638F-LC40概述

DDR DRAM, 8MX16, 0.6ns, CMOS, PDSO66

K4D261638F-LC40规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
Objectid1125504824
包装说明TSSOP, TSSOP66,.46
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间0.6 ns
最大时钟频率 (fCLK)250 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度2,4,8
JESD-30 代码R-PDSO-G66
内存密度134217728 bit
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度16
湿度敏感等级3
端子数量66
字数8388608 words
字数代码8000000
最高工作温度65 °C
最低工作温度
组织8MX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSSOP
封装等效代码TSSOP66,.46
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度(摄氏度)260
电源2.5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期4096
连续突发长度2,4,8
最大待机电流0.045 A
最大压摆率0.26 mA
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式GULL WING
端子节距0.635 mm
端子位置DUAL
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