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SMBD6050

产品描述Silicon Switching Diode
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小100KB,共4页
制造商SIEMENS
官网地址http://www.infineon.com/
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SMBD6050概述

Silicon Switching Diode

SMBD6050规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称SIEMENS
包装说明R-PDSO-G3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.1 V
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最大输出电流0.25 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压70 V
最大反向电流0.1 µA
最大反向恢复时间0.01 µs
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL

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Silicon Switching Diode
q
For high-speed switching applications
SMBD 6050
Type
SMBD 6050
Marking
s5A
Ordering Code
(tape and reel)
Q68000-A8439
Pin Configuration
Package
1)
SOT-23
Maximum Ratings
Parameter
Reverse voltage
Peak reverse voltage
Forward current
Surge forward current,
t
= 1
µ
s
Total power dissipation,
T
S
= 54 ˚C
Junction temperature
Storage temperature range
Thermal Resistance
Junction - ambient
2)
Junction - soldering point
R
th JA
R
th JS
330
260
Symbol
V
R
V
RM
I
F
I
FS
P
tot
T
j
T
stg
Values
70
70
250
4.5
370
150
– 65 … + 150
Unit
V
mA
A
mW
˚C
K/W
1)
2)
For detailed information see chapter Package Outlines.
Package mounted on epoxy pcb 40 mm
×
40 mm
×
1.5 mm/6 cm
2
Cu.
Semiconductor Group
1
5.91

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SMBD6050 Q68000-A8439
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