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5962-9679503MXA

产品描述Standard SRAM, 256KX16, 20ns, CMOS, FP-44
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文件大小173KB,共25页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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5962-9679503MXA概述

Standard SRAM, 256KX16, 20ns, CMOS, FP-44

5962-9679503MXA规格参数

参数名称属性值
Objectid2078455815
包装说明FP-44
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间20 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDFP-F44
JESD-609代码e0
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度16
功能数量1
端子数量44
字数262144 words
字数代码256000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织256KX16
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DFP
封装等效代码FL44,.5
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK
并行/串行PARALLEL
电源5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别MIL-STD-883
座面最大高度2.92 mm
最大待机电流0.025 A
最小待机电流4.5 V
最大压摆率0.3 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层TIN LEAD
端子形式FLAT
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
宽度12.955 mm

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REVISIONS
LTR
A
B
C
DESCRIPTION
Changes in accordance with NOR 5962-R159-97.
Change to Table I; I
CCDR
, device type column. Updated boilerplate.
ksr
Correct E2 dimension on package X from 3.85 min and 3.95 max to
.385 min and .395 max inches. Change the I
OL
test condition for V
OL
from 8 mA to 6 mA in Table I. Updated boilerplate. ksr
Add device type 07, updated Table I for 07 device, corrected Figure
3, and added package Z. ksr
DATE (YR-MO-DA)
96-12-20
98-02-18
04-10-27
APPROVED
Raymond Monnin
Raymond Monnin
Raymond Monnin
D
09-01-21
Robert Heber
REV
SHEET
REV
SHEET
REV STATUS
OF SHEETS
PMIC N/A
D
15
D
16
D
17
D
18
REV
SHEET
D
19
D
20
D
21
D
1
D
22
D
2
D
23
D
3
D
24
D
4
D
5
D
6
D
7
D
8
D
9
D
10
D
11
D
12
D
13
D
14
PREPARED BY
Gary L. Gross
DEFENSE SUPPLY CENTER COLUMBUS
COLUMBUS, OHIO 43218-3990
http://www.dscc.dla.mil
STANDARD
MICROCIRCUIT
DRAWING
THIS DRAWING IS
AVAILABLE
FOR USE BY ALL
DEPARTMENTS
AND AGENCIES OF THE
DEPARTMENT OF DEFENSE
AMSC N/A
CHECKED BY
Jeff Bowling
APPROVED BY
Michael A. Frye
DRAWING APPROVAL DATE
96-05-17
REVISION LEVEL
D
MICROCIRCUIT, MEMORY,
DIGITAL, 256K X 16 STATIC
RANDOM ACCESS MEMORY
(SRAM), MONOLITHIC SILICON
SIZE
A
SHEET
1 OF
24
5962-E129-09
CAGE CODE
67268
5962-96795
DSCC FORM 2233
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