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SMBJ100C

产品描述600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小20KB,共4页
制造商EIC [EIC discrete Semiconductors]
标准
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SMBJ100C在线购买

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SMBJ100C概述

600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE

SMBJ100C规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称EIC [EIC discrete Semiconductors]
包装说明R-PDSO-C2
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
其他特性EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, PRSM-MIN
最大击穿电压136 V
最小击穿电压111 V
击穿电压标称值126 V
最大钳位电压179 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码DO-214AA
JESD-30 代码R-PDSO-C2
JESD-609代码e3
最大非重复峰值反向功率耗散600 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性BIDIRECTIONAL
最大重复峰值反向电压100 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子面层Tin (Sn)
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
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