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SMBJ50C

产品描述600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小20KB,共4页
制造商EIC [EIC discrete Semiconductors]
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SMBJ50C概述

600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA

SMBJ50C规格参数

参数名称属性值
端子数量2
元件数量1
最大击穿电压111 V
最小击穿电压100 V
加工封装描述HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMBJ, 2 PIN
欧盟RoHS规范Yes
状态ACTIVE
包装形状RECTANGULAR
包装尺寸SMALL OUTLINE
表面贴装Yes
端子形式C BEND
端子涂层MATTE TIN
端子位置DUAL
包装材料PLASTIC/EPOXY
工艺AVALANCHE
结构SINGLE
二极管元件材料SILICON
最大功耗极限1.5 W
极性BIDIRECTIONAL
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
关闭电压90 V
最大非重复峰值转速功率600 W

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SMBJ 5.0C - 170CA
V
BR
: 6.8 - 200 Volts
P
PK
: 600 Watts
FEATURES :
* 600W surge capability at 1ms
* Excellent clamping capability
* Low inductance
* Response Time Typically < 1ns
* Typical I
R
less then 1µA above 10V
BIDIRECTIONAL TRANSIENT
VOLTAGE SUPPRESSOR
SMB (DO-214AA)
1.1
?
0.3
0.15
5.4
4.8
0.15
2.0
?
0.1
3.6
?
0.15
2.3
?
0.2
0.22
?
0.07
MECHANICAL DATA
* Case : SMB Molded plastic
* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant
* Lead : Lead Formed for Surface Mount
* Mounting position : Any
* Weight : 0.109 gram
Dimensions in millimeter
MAXIMUM RATINGS
Rating at Ta = 25
?
C ambient temperature unless otherwise specified.
Rating
Peak Pulse Power Dissipation on 10/1000µs (1)
Symbol
P
PPM
Value
Minimum 600
Units
Watts
waveform (Notes 1, 2, Fig. 4)
Peak Pulse Current on 10/1000µs
I
PPM
waveform (Note 1, Fig. 3)
Operating Junction and Storage Temperature Range
Note :
(1) Non-repetitive Current pulse, per Fig. 3 and derated above Ta = 25
?
C per Fig. 1
(2) Mounted on 5.0mm
2
(0.013mm) land areas.
See Table
Amps
T
J,
T
STG
- 55 to + 150
?
C
UPDATE : MAY 10, 2000

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