Serial I/O Controller, MOS, CDIP40,
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| Objectid | 113908510 |
| 包装说明 | DIP, DIP40,.6 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| JESD-30 代码 | R-XDIP-T40 |
| 端子数量 | 40 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP40,.6 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 标称供电电压 | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | MOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| uPs/uCs/外围集成电路类型 | SERIAL IO/COMMUNICATION CONTROLLER, SERIAL |
这份文档是关于Z8470Z80 DART(Dual Asynchronous Receiver/Transmitter)的产品规格说明书。以下是一些值得关注的技术信息:
双通道全双工通信能力:Z80 DART具有两个独立的全双工通道,可以同时发送和接收数据。
数据传输速率:在1x时钟模式下,数据传输速率可达0至800K位/秒;在6MHz时钟下,速率可达0至1.2M位/秒。
中断特性:包括可编程中断向量、快速中断处理的“状态影响向量”模式,以及标准的Z80外围设备菊花链中断结构。
缓冲区:接收数据寄存器四重缓冲,发射数据寄存器双重缓冲。
编程选项:包括1, 1.5或2个停止位,偶数、奇数或无校验位,以及x1, x16, x32和x64时钟模式。
内置逻辑:包括环回指示和载波检测状态的逻辑。
芯片使能(CE):低电平有效,用于在写入周期中启用Z80 DART接受来自CPU的命令或数据输入。
数据总线:双向三态数据总线,用于CPU和Z80 DART之间的数据和命令传输。
调制解调器控制:提供调制解调器控制信号,包括请求发送(RTS)、允许发送(CTS)、数据载波检测(DCD)和环回指示(RI)。
中断请求(INT):当Z80 DART请求中断时,它会将INT拉低。
内部结构:包括Z80 CPU接口、内部控制和中断逻辑,以及两个全双工通道,每个通道包含读写寄存器和离散控制状态逻辑。
数据路径:展示了接收和传输数据路径的FIFO(先进先出)缓冲和移位寄存器。
读写和中断时序:详细描述了Z80 CPU读写周期和中断确认周期的时序图。
编程:详细介绍了如何通过系统程序初始化和配置Z80 DART的各个寄存器。
绝对最大额定值:列出了电压、操作环境温度和存储温度的最大额定值。
直流特性和电容:提供了输入/输出电压、电流和电容的详细特性。
时序特性:列出了包括时钟周期时间、时钟高/低宽度、数据输入到时钟设置时间等在内的时序参数。
| Z8470B-DM | Z8470B-PE | Z8470-CM | Z8470B-CMB | Z8470B-DE | |
|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | Serial I/O Controller, MOS, CDIP40, | Serial I/O Controller, MOS, PDIP40, | Serial I/O Controller, MOS, CDIP40, | Serial I/O Controller, MOS, CDIP40, | Serial I/O Controller, MOS, CDIP40, |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 包装说明 | DIP, DIP40,.6 | DIP, DIP40,.6 | DIP, DIP40,.6 | DIP, DIP40,.6 | DIP, DIP40,.6 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknown | unknown |
| JESD-30 代码 | R-XDIP-T40 | R-PDIP-T40 | R-XDIP-T40 | R-XDIP-T40 | R-XDIP-T40 |
| 端子数量 | 40 | 40 | 40 | 40 | 40 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 85 °C | 125 °C | 125 °C | 85 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -40 °C | -55 °C | -55 °C | -40 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC | PLASTIC/EPOXY | CERAMIC | CERAMIC | CERAMIC |
| 封装代码 | DIP | DIP | DIP | DIP | DIP |
| 封装等效代码 | DIP40,.6 | DIP40,.6 | DIP40,.6 | DIP40,.6 | DIP40,.6 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE |
| 电源 | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 标称供电电压 | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | NO | NO | NO | NO |
| 技术 | MOS | MOS | MOS | MOS | MOS |
| 温度等级 | MILITARY | INDUSTRIAL | MILITARY | MILITARY | INDUSTRIAL |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL |
| uPs/uCs/外围集成电路类型 | SERIAL IO/COMMUNICATION CONTROLLER, SERIAL | SERIAL IO/COMMUNICATION CONTROLLER, SERIAL | SERIAL IO/COMMUNICATION CONTROLLER, SERIAL | SERIAL IO/COMMUNICATION CONTROLLER, SERIAL | SERIAL IO/COMMUNICATION CONTROLLER, SERIAL |
| Objectid | 113908510 | - | 113908505 | 113908504 | 113908501 |
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