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Z8470B-DM

产品描述Serial I/O Controller, MOS, CDIP40,
产品类别嵌入式处理器和控制器    微控制器和处理器   
文件大小732KB,共11页
制造商IXYS
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Z8470B-DM概述

Serial I/O Controller, MOS, CDIP40,

Z8470B-DM规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Objectid113908510
包装说明DIP, DIP40,.6
Reach Compliance Codeunknown
JESD-30 代码R-XDIP-T40
端子数量40
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料CERAMIC
封装代码DIP
封装等效代码DIP40,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
电源5 V
认证状态Not Qualified
标称供电电压5 V
表面贴装NO
技术MOS
温度等级MILITARY
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
uPs/uCs/外围集成电路类型SERIAL IO/COMMUNICATION CONTROLLER, SERIAL

文档解析

这份文档是关于Z8470Z80 DART(Dual Asynchronous Receiver/Transmitter)的产品规格说明书。以下是一些值得关注的技术信息:

  1. 双通道全双工通信能力:Z80 DART具有两个独立的全双工通道,可以同时发送和接收数据。

  2. 数据传输速率:在1x时钟模式下,数据传输速率可达0至800K位/秒;在6MHz时钟下,速率可达0至1.2M位/秒。

  3. 中断特性:包括可编程中断向量、快速中断处理的“状态影响向量”模式,以及标准的Z80外围设备菊花链中断结构。

  4. 缓冲区:接收数据寄存器四重缓冲,发射数据寄存器双重缓冲。

  5. 编程选项:包括1, 1.5或2个停止位,偶数、奇数或无校验位,以及x1, x16, x32和x64时钟模式。

  6. 内置逻辑:包括环回指示和载波检测状态的逻辑。

  7. 芯片使能(CE):低电平有效,用于在写入周期中启用Z80 DART接受来自CPU的命令或数据输入。

  8. 数据总线:双向三态数据总线,用于CPU和Z80 DART之间的数据和命令传输。

  9. 调制解调器控制:提供调制解调器控制信号,包括请求发送(RTS)、允许发送(CTS)、数据载波检测(DCD)和环回指示(RI)。

  10. 中断请求(INT):当Z80 DART请求中断时,它会将INT拉低。

  11. 内部结构:包括Z80 CPU接口、内部控制和中断逻辑,以及两个全双工通道,每个通道包含读写寄存器和离散控制状态逻辑。

  12. 数据路径:展示了接收和传输数据路径的FIFO(先进先出)缓冲和移位寄存器。

  13. 读写和中断时序:详细描述了Z80 CPU读写周期和中断确认周期的时序图。

  14. 编程:详细介绍了如何通过系统程序初始化和配置Z80 DART的各个寄存器。

  15. 绝对最大额定值:列出了电压、操作环境温度和存储温度的最大额定值。

  16. 直流特性和电容:提供了输入/输出电压、电流和电容的详细特性。

  17. 时序特性:列出了包括时钟周期时间、时钟高/低宽度、数据输入到时钟设置时间等在内的时序参数。

Z8470B-DM相似产品对比

Z8470B-DM Z8470B-PE Z8470-CM Z8470B-CMB Z8470B-DE
描述 Serial I/O Controller, MOS, CDIP40, Serial I/O Controller, MOS, PDIP40, Serial I/O Controller, MOS, CDIP40, Serial I/O Controller, MOS, CDIP40, Serial I/O Controller, MOS, CDIP40,
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
包装说明 DIP, DIP40,.6 DIP, DIP40,.6 DIP, DIP40,.6 DIP, DIP40,.6 DIP, DIP40,.6
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown
JESD-30 代码 R-XDIP-T40 R-PDIP-T40 R-XDIP-T40 R-XDIP-T40 R-XDIP-T40
端子数量 40 40 40 40 40
最高工作温度 125 °C 85 °C 125 °C 125 °C 85 °C
最低工作温度 -55 °C -40 °C -55 °C -55 °C -40 °C
封装主体材料 CERAMIC PLASTIC/EPOXY CERAMIC CERAMIC CERAMIC
封装代码 DIP DIP DIP DIP DIP
封装等效代码 DIP40,.6 DIP40,.6 DIP40,.6 DIP40,.6 DIP40,.6
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
标称供电电压 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO NO NO
技术 MOS MOS MOS MOS MOS
温度等级 MILITARY INDUSTRIAL MILITARY MILITARY INDUSTRIAL
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
uPs/uCs/外围集成电路类型 SERIAL IO/COMMUNICATION CONTROLLER, SERIAL SERIAL IO/COMMUNICATION CONTROLLER, SERIAL SERIAL IO/COMMUNICATION CONTROLLER, SERIAL SERIAL IO/COMMUNICATION CONTROLLER, SERIAL SERIAL IO/COMMUNICATION CONTROLLER, SERIAL
Objectid 113908510 - 113908505 113908504 113908501

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