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SMBJ8.0C

产品描述600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小20KB,共4页
制造商EIC [EIC discrete Semiconductors]
标准
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SMBJ8.0C概述

600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA

SMBJ8.0C规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称EIC [EIC discrete Semiconductors]
包装说明R-PDSO-C2
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
其他特性EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, PRSM-MIN
最大击穿电压10.9 V
最小击穿电压8.89 V
击穿电压标称值10.1 V
最大钳位电压15 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码DO-214AA
JESD-30 代码R-PDSO-C2
JESD-609代码e3
最大非重复峰值反向功率耗散600 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性BIDIRECTIONAL
最大重复峰值反向电压8 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子面层Tin (Sn)
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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SMBJ 5.0C - 170CA
V
BR
: 6.8 - 200 Volts
P
PK
: 600 Watts
FEATURES :
* 600W surge capability at 1ms
* Excellent clamping capability
* Low inductance
* Response Time Typically < 1ns
* Typical I
R
less then 1µA above 10V
BIDIRECTIONAL TRANSIENT
VOLTAGE SUPPRESSOR
SMB (DO-214AA)
1.1
?
0.3
0.15
5.4
4.8
0.15
2.0
?
0.1
3.6
?
0.15
2.3
?
0.2
0.22
?
0.07
MECHANICAL DATA
* Case : SMB Molded plastic
* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant
* Lead : Lead Formed for Surface Mount
* Mounting position : Any
* Weight : 0.109 gram
Dimensions in millimeter
MAXIMUM RATINGS
Rating at Ta = 25
?
C ambient temperature unless otherwise specified.
Rating
Peak Pulse Power Dissipation on 10/1000µs (1)
Symbol
P
PPM
Value
Minimum 600
Units
Watts
waveform (Notes 1, 2, Fig. 4)
Peak Pulse Current on 10/1000µs
I
PPM
waveform (Note 1, Fig. 3)
Operating Junction and Storage Temperature Range
Note :
(1) Non-repetitive Current pulse, per Fig. 3 and derated above Ta = 25
?
C per Fig. 1
(2) Mounted on 5.0mm
2
(0.013mm) land areas.
See Table
Amps
T
J,
T
STG
- 55 to + 150
?
C
UPDATE : MAY 10, 2000
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