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VN10LM

产品描述SMALL SIGNAL, FET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小81KB,共6页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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VN10LM概述

SMALL SIGNAL, FET

小信号, 场效应晶体管

VN10LM规格参数

参数名称属性值
包装说明CYLINDRICAL, O-XBCY-W3
Reach Compliance Codeunknow
其他特性FAST SWITCHING
配置Single
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)0.3 A
最大漏极电流 (ID)0.32 A
最大漏源导通电阻5 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)5 pF
JEDEC-95代码TO-237
JESD-30 代码O-XBCY-W3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)1 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)1.4 A
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)10 ns
最大开启时间(吨)10 ns
Base Number Matches1

VN10LM相似产品对比

VN10LM VN10LE VN2222LM
描述 SMALL SIGNAL, FET SMALL SIGNAL, FET SMALL SIGNAL, FET
包装说明 CYLINDRICAL, O-XBCY-W3 , CYLINDRICAL, O-XBCY-W3
Reach Compliance Code unknow unknow unknow
配置 Single Single Single
最大漏极电流 (Abs) (ID) 0.3 A 0.2 A 0.25 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 1 W 0.315 W 1 W
表面贴装 NO NO NO
Base Number Matches 1 1 1
其他特性 FAST SWITCHING - FAST SWITCHING
最小漏源击穿电压 60 V - 60 V
最大漏极电流 (ID) 0.32 A - 0.26 A
最大漏源导通电阻 5 Ω - 7.5 Ω
最大反馈电容 (Crss) 5 pF - 5 pF
JEDEC-95代码 TO-237 - TO-237
JESD-30 代码 O-XBCY-W3 - O-XBCY-W3
元件数量 1 - 1
端子数量 3 - 3
最低工作温度 -55 °C - -55 °C
封装主体材料 UNSPECIFIED - UNSPECIFIED
封装形状 ROUND - ROUND
封装形式 CYLINDRICAL - CYLINDRICAL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 1.4 A - 1 A
端子形式 WIRE - WIRE
端子位置 BOTTOM - BOTTOM
晶体管应用 SWITCHING - SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON - SILICON
最大关闭时间(toff) 10 ns - 10 ns
最大开启时间(吨) 10 ns - 10 ns
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