SMALL SIGNAL, FET
小信号, 场效应晶体管
参数名称 | 属性值 |
包装说明 | CYLINDRICAL, O-XBCY-W3 |
Reach Compliance Code | unknow |
其他特性 | FAST SWITCHING |
配置 | Single |
最小漏源击穿电压 | 60 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 0.3 A |
最大漏极电流 (ID) | 0.32 A |
最大漏源导通电阻 | 5 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最大反馈电容 (Crss) | 5 pF |
JEDEC-95代码 | TO-237 |
JESD-30 代码 | O-XBCY-W3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | CYLINDRICAL |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 1 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 1.4 A |
表面贴装 | NO |
端子形式 | WIRE |
端子位置 | BOTTOM |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
最大关闭时间(toff) | 10 ns |
最大开启时间(吨) | 10 ns |
Base Number Matches | 1 |
VN10LM | VN10LE | VN2222LM | |
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描述 | SMALL SIGNAL, FET | SMALL SIGNAL, FET | SMALL SIGNAL, FET |
包装说明 | CYLINDRICAL, O-XBCY-W3 | , | CYLINDRICAL, O-XBCY-W3 |
Reach Compliance Code | unknow | unknow | unknow |
配置 | Single | Single | Single |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 0.3 A | 0.2 A | 0.25 A |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 1 W | 0.315 W | 1 W |
表面贴装 | NO | NO | NO |
Base Number Matches | 1 | 1 | 1 |
其他特性 | FAST SWITCHING | - | FAST SWITCHING |
最小漏源击穿电压 | 60 V | - | 60 V |
最大漏极电流 (ID) | 0.32 A | - | 0.26 A |
最大漏源导通电阻 | 5 Ω | - | 7.5 Ω |
最大反馈电容 (Crss) | 5 pF | - | 5 pF |
JEDEC-95代码 | TO-237 | - | TO-237 |
JESD-30 代码 | O-XBCY-W3 | - | O-XBCY-W3 |
元件数量 | 1 | - | 1 |
端子数量 | 3 | - | 3 |
最低工作温度 | -55 °C | - | -55 °C |
封装主体材料 | UNSPECIFIED | - | UNSPECIFIED |
封装形状 | ROUND | - | ROUND |
封装形式 | CYLINDRICAL | - | CYLINDRICAL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 1.4 A | - | 1 A |
端子形式 | WIRE | - | WIRE |
端子位置 | BOTTOM | - | BOTTOM |
晶体管应用 | SWITCHING | - | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | - | SILICON |
最大关闭时间(toff) | 10 ns | - | 10 ns |
最大开启时间(吨) | 10 ns | - | 10 ns |
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