DDR DRAM Module,
| 参数名称 | 属性值 |
| Objectid | 7278511086 |
| 包装说明 | DIMM, |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 访问模式 | DUAL BANK PAGE BURST |
| 其他特性 | AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX |
| JESD-30 代码 | R-XDMA-N288 |
| 长度 | 133.35 mm |
| 内存密度 | 137438953472 bit |
| 内存集成电路类型 | DDR DRAM MODULE |
| 内存宽度 | 64 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 288 |
| 字数 | 2147483648 words |
| 字数代码 | 2000000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 2GX64 |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | DIMM |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 座面最大高度 | 30.88 mm |
| 自我刷新 | YES |
| 最大供电电压 (Vsup) | 1.26 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.14 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 1.2 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | OTHER |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子节距 | 0.85 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 宽度 | 3.78 mm |
| HMA82GU6CJR8N-UH | HMA82GU6CJR8N-VK | HMA82GU6CJR8N-WM | HMA82GU6CJR8N-XN | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | DDR DRAM Module, | DDR DRAM Module, | DDR DRAM Module, | DDR DRAM Module, |
| Objectid | 7278511086 | 7278511087 | 7278511088 | 7278511089 |
| 包装说明 | DIMM, | DIMM, | DIMM, | DIMM, |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 访问模式 | DUAL BANK PAGE BURST | DUAL BANK PAGE BURST | DUAL BANK PAGE BURST | DUAL BANK PAGE BURST |
| 其他特性 | AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX | AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX | AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX | AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX |
| JESD-30 代码 | R-XDMA-N288 | R-XDMA-N288 | R-XDMA-N288 | R-XDMA-N288 |
| 长度 | 133.35 mm | 133.35 mm | 133.35 mm | 133.35 mm |
| 内存密度 | 137438953472 bit | 137438953472 bit | 137438953472 bit | 137438953472 bit |
| 内存集成电路类型 | DDR DRAM MODULE | DDR DRAM MODULE | DDR DRAM MODULE | DDR DRAM MODULE |
| 内存宽度 | 64 | 64 | 64 | 64 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端口数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 288 | 288 | 288 | 288 |
| 字数 | 2147483648 words | 2147483648 words | 2147483648 words | 2147483648 words |
| 字数代码 | 2000000000 | 2000000000 | 2000000000 | 2000000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C | 85 °C | 85 °C | 85 °C |
| 组织 | 2GX64 | 2GX64 | 2GX64 | 2GX64 |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | DIMM | DIMM | DIMM | DIMM |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 座面最大高度 | 30.88 mm | 30.88 mm | 30.88 mm | 30.88 mm |
| 自我刷新 | YES | YES | YES | YES |
| 最大供电电压 (Vsup) | 1.26 V | 1.26 V | 1.26 V | 1.26 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.14 V | 1.14 V | 1.14 V | 1.14 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 1.2 V | 1.2 V | 1.2 V | 1.2 V |
| 表面贴装 | NO | NO | NO | NO |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | OTHER | OTHER | OTHER | OTHER |
| 端子形式 | NO LEAD | NO LEAD | NO LEAD | NO LEAD |
| 端子节距 | 0.85 mm | 0.85 mm | 0.85 mm | 0.85 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL |
| 宽度 | 3.78 mm | 3.78 mm | 3.78 mm | 3.78 mm |
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