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MRF5S21150

产品描述RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小556KB,共12页
制造商Motorola ( NXP )
官网地址https://www.nxp.com
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MRF5S21150概述

RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS

MRF5S21150规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Motorola ( NXP )
包装说明FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
Reach Compliance Codeunknown
外壳连接SOURCE
配置SINGLE
最小漏源击穿电压65 V
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带S BAND
JESD-30 代码R-CDFM-F2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度200 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)350 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON

MRF5S21150相似产品对比

MRF5S21150 MRF5S21150R3 MRF5S21150S MRF5S21150SR3
描述 RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
厂商名称 Motorola ( NXP ) Motorola ( NXP ) Motorola ( NXP ) Motorola ( NXP )
包装说明 FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2 FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2 FLATPACK, R-CDFP-F2 FLATPACK, R-CDFP-F2
Reach Compliance Code unknown unknow unknown unknow
外壳连接 SOURCE SOURCE SOURCE SOURCE
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小漏源击穿电压 65 V 65 V 65 V 65 V
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带 S BAND S BAND S BAND S BAND
JESD-30 代码 R-CDFM-F2 R-CDFM-F2 R-CDFP-F2 R-CDFP-F2
元件数量 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 200 °C 200 °C 200 °C 200 °C
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLATPACK FLATPACK
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 350 W 350 W 350 W 350 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES
端子形式 FLAT FLAT FLAT FLAT
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON

 
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