SRAM Module, 512KX32, 45ns, CMOS, PQCC68
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| Objectid | 101278457 |
| 包装说明 | QCCJ, LDCC68,1.0SQ |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | 3A991.B.2.A |
| 最长访问时间 | 45 ns |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | S-PQCC-J68 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 内存密度 | 16777216 bit |
| 内存集成电路类型 | SRAM MODULE |
| 内存宽度 | 32 |
| 端子数量 | 68 |
| 字数 | 524288 words |
| 字数代码 | 512000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 512KX32 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | QCCJ |
| 封装等效代码 | LDCC68,1.0SQ |
| 封装形状 | SQUARE |
| 封装形式 | CHIP CARRIER |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最大待机电流 | 0.04 A |
| 最小待机电流 | 4.5 V |
| 最大压摆率 | 0.76 mA |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | J BEND |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | QUAD |
| PUMA68S16000XI-45 | PUMA68S16000X-25 | PUMA68S16000X-15 | PUMA68S16000X-20 | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | SRAM Module, 512KX32, 45ns, CMOS, PQCC68 | SRAM Module, 512KX32, 25ns, CMOS, PQCC68 | SRAM Module, 512KX32, 15ns, CMOS, PQCC68 | SRAM Module, 512KX32, 20ns, CMOS, PQCC68 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 包装说明 | QCCJ, LDCC68,1.0SQ | QCCJ, LDCC68,1.0SQ | QCCJ, LDCC68,1.0SQ | QCCJ, LDCC68,1.0SQ |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknown |
| 最长访问时间 | 45 ns | 25 ns | 15 ns | 20 ns |
| I/O 类型 | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON |
| JESD-30 代码 | S-PQCC-J68 | S-PQCC-J68 | S-PQCC-J68 | S-PQCC-J68 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 |
| 内存密度 | 16777216 bit | 16777216 bit | 16777216 bit | 16777216 bit |
| 内存集成电路类型 | SRAM MODULE | SRAM MODULE | SRAM MODULE | SRAM MODULE |
| 内存宽度 | 32 | 32 | 32 | 32 |
| 端子数量 | 68 | 68 | 68 | 68 |
| 字数 | 524288 words | 524288 words | 524288 words | 524288 words |
| 字数代码 | 512000 | 512000 | 512000 | 512000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C | 70 °C | 70 °C | 70 °C |
| 组织 | 512KX32 | 512KX32 | 512KX32 | 512KX32 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | QCCJ | QCCJ | QCCJ | QCCJ |
| 封装等效代码 | LDCC68,1.0SQ | LDCC68,1.0SQ | LDCC68,1.0SQ | LDCC68,1.0SQ |
| 封装形状 | SQUARE | SQUARE | SQUARE | SQUARE |
| 封装形式 | CHIP CARRIER | CHIP CARRIER | CHIP CARRIER | CHIP CARRIER |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
| 电源 | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 最大待机电流 | 0.04 A | 0.04 A | 0.04 A | 0.04 A |
| 最小待机电流 | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
| 最大压摆率 | 0.76 mA | 0.76 mA | 0.76 mA | 0.76 mA |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | YES | YES | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | J BEND | J BEND | J BEND | J BEND |
| 端子节距 | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | QUAD | QUAD | QUAD | QUAD |
| Objectid | 101278457 | - | 101278426 | 101278432 |
| ECCN代码 | 3A991.B.2.A | - | 3A991.B.2.A | 3A991.B.2.A |
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