EEPROM, 128KX8, 120ns, Parallel, CMOS, CDFP32,
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
Objectid | 113180042 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | 3A001.A.2.C |
最长访问时间 | 120 ns |
命令用户界面 | NO |
数据轮询 | YES |
JESD-30 代码 | R-XDFP-F32 |
内存密度 | 1048576 bit |
内存集成电路类型 | EEPROM |
内存宽度 | 8 |
端子数量 | 32 |
字数 | 131072 words |
字数代码 | 128000 |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
组织 | 128KX8 |
封装主体材料 | CERAMIC |
封装代码 | DFP |
封装等效代码 | FL32,.4 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLATPACK |
页面大小 | 128 words |
并行/串行 | PARALLEL |
电源 | 5 V |
认证状态 | Not Qualified |
筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B |
最大待机电流 | 0.0003 A |
最大压摆率 | 0.08 mA |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | MILITARY |
端子形式 | FLAT |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | DUAL |
切换位 | YES |
TT28C010F-12M-1 | TT28C010F-12-1 | |
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描述 | EEPROM, 128KX8, 120ns, Parallel, CMOS, CDFP32, | EEPROM, 128KX8, 120ns, Parallel, CMOS, CDFP32, |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
Objectid | 113180042 | 113180043 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown |
ECCN代码 | 3A001.A.2.C | 3A001.A.2.C |
最长访问时间 | 120 ns | 120 ns |
命令用户界面 | NO | NO |
数据轮询 | YES | YES |
JESD-30 代码 | R-XDFP-F32 | R-XDFP-F32 |
内存密度 | 1048576 bit | 1048576 bit |
内存集成电路类型 | EEPROM | EEPROM |
内存宽度 | 8 | 8 |
端子数量 | 32 | 32 |
字数 | 131072 words | 131072 words |
字数代码 | 128000 | 128000 |
最高工作温度 | 125 °C | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C | -55 °C |
组织 | 128KX8 | 128KX8 |
封装主体材料 | CERAMIC | CERAMIC |
封装代码 | DFP | DFP |
封装等效代码 | FL32,.4 | FL32,.4 |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | FLATPACK | FLATPACK |
页面大小 | 128 words | 128 words |
并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL |
电源 | 5 V | 5 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B | 38535V;38534K;883S |
最大待机电流 | 0.0003 A | 0.0003 A |
最大压摆率 | 0.08 mA | 0.08 mA |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V |
表面贴装 | YES | YES |
技术 | CMOS | CMOS |
温度等级 | MILITARY | MILITARY |
端子形式 | FLAT | FLAT |
端子节距 | 1.27 mm | 1.27 mm |
端子位置 | DUAL | DUAL |
切换位 | YES | YES |
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